[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及构成逆变器等电力转换装置的电力用半导体装置，特别是涉及局部地具有不同厚度的引线框的结构。

背景技术

对于作为电力用半导体装置的传递模塑构造封装的DIPIPM(Dual Inline Package Intelligent Power Module)，要求高散热性和绝缘性。为了提高散热性，通过增加经由接合材料而接合的芯片正下方的引线框的厚度，从而在热量输入至导热性低的绝缘片之前的阶段中促进热扩散是有效的。因此，就当前要求散热性的品种而言，奉行的是将引线框整体的厚度均一地变厚的设计。

另外，例如在专利文献1中，就只搭载功率芯片的模块而言，公开了具备局部地具有不同厚度的引线框的结构，芯片搭载部整体是厚壁部。

专利文献1：日本特开2015-95486号公报

然而，在将引线框整体的厚度均一地变厚的情况下，材料成本增加。并且，由于因引线框的冲裁限制条件导致的图案布局的扩大，而使得封装件尺寸增大。由此，存在产品成本增加的问题。

另外，在将专利文献1中记载的技术应用至搭载有功率芯片及对功率芯片进行驱动的IC(Integrated Circuit)芯片的模块的情况下，不仅功率芯片，温度限制低的IC芯片也搭载在作为芯片搭载部的厚壁部。在该情况下，为了抑制材料成本的增加而需要将形成厚壁部的区域尽可能地变小，因此厚壁部中的搭载有IC芯片的部分和搭载有功率芯片的部分之间的距离缩短，存在从功率芯片向IC芯片的热干涉变大的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够将热干涉减少，且使散热性提高，并且抑制产品成本的增加的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置具备：功率芯片；IC芯片，其对所述功率芯片进行驱动；以及引线框，其具有薄壁部和比所述薄壁部的厚度厚的厚壁部，所述功率芯片搭载于所述厚壁部，所述IC芯片搭载于所述薄壁部。

发明的效果

根据本发明，半导体装置具备：功率芯片；IC芯片，其对功率芯片进行驱动；以及引线框，其具有薄壁部和比薄壁部的厚度厚的厚壁部，功率芯片搭载于厚壁部，IC芯片搭载于薄壁部。

因此，对于作为主要发热源的功率芯片，能够通过使作为散热体的引线框中的功率芯片正下方的部分的厚度增加而促进热扩散。由此，能够提高半导体装置的散热性。

另外，温度限制低的IC芯片搭载在薄壁部，因此能够将引线框中的搭载有IC芯片的部分与搭载有功率芯片的部分之间的距离扩大。由此，能够减少从功率芯片向IC芯片的热干涉。

并且，仅在引线框中的搭载有功率芯片的部分设置厚壁部，因此能够将形成厚壁部的区域缩小。由此，能够抑制材料成本及封装件尺寸的增加，因此能够抑制产品成本的增加。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图2是实施方式1涉及的半导体装置的剖视图。

图3是用于说明厚壁部处的热扩散的图。

图4是用于说明厚壁部的形成位置的图。

图5是实施方式2涉及的半导体装置的剖视图。

图6是实施方式3涉及的半导体装置的剖视图。

图7是实施方式4涉及的半导体装置的剖视图。

图8是实施方式5涉及的半导体装置的剖视图。

标号的说明

1、1A、1B、1C、1D半导体装置，2引线框，3、3a薄壁部，4厚壁部，5、5a端子，6绝缘层，7散热器，8、9功率芯片，10IC芯片，11导线，15模塑树脂。

具体实施方式

<实施方式1>

下面，使用附图对本发明的实施方式1进行说明。图1是实施方式1涉及的半导体装置1的俯视图。图2是半导体装置1的剖视图，更具体地说，是图1的II-II线剖视图。在这里，图1是表示连结杆切断工序前的附图。此外，朝向图1的纸面将左右方向设为X轴方向，将上下方向设为Y轴方向而进行说明。

如图1和图2所示，半导体装置1例如是功率模块，具备：功率芯片8、9、IC芯片10、引线框2、模塑树脂15、绝缘层6以及散热器7。引线框2具备：由模塑树脂15封装的内引线2a；与内引线2a相连的外引线2b；以及与外引线2b相连的外框部2c。内引线2a具备多个薄壁部3、3a、多个比薄壁部3、3a的厚度厚的厚壁部4。另外，各薄壁部3的一部分与各厚壁部4分别相连。各薄壁部3a的一部分与各厚壁部4分别相连。此外，外引线2b及外框部2c具有与薄壁部3、3a相同的厚度。