[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

功率芯片；

IC芯片，其对所述功率芯片进行驱动；以及

引线框，其具有薄壁部和比所述薄壁部的厚度厚的厚壁部，

所述功率芯片搭载于所述厚壁部，所述IC芯片搭载于所述薄壁部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

如果将所述功率芯片的端部和与该功率芯片的该端部侧对应的所述厚壁部的端部之间的距离设为a，将所述厚壁部的厚度设为t，则在所述功率芯片的4边中的至少1边满足t≥a。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述厚壁部的上表面设置于比所述薄壁部的上表面的高度位置低的高度位置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述厚壁部为多个，

所述半导体装置还具备对所述引线框的一部分、所述功率芯片及所述IC芯片进行封装的模塑树脂，

所述引线框还具有从所述模塑树脂向第1方向凸出的端子，

各所述厚壁部沿与所述第1方向正交的第2方向设置于一条直线上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述厚壁部和所述薄壁部由不同部件形成，

所述厚壁部由具有比所述薄壁部高的导热特性的部件形成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述厚壁部被实施了镀敷。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述厚壁部具有至少2种不同的厚度。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，

还具备：绝缘层，其配置于所述厚壁部的下表面；以及散热器，其配置于所述绝缘层的下表面，

如果将所述薄壁部的上表面的高度位置与所述厚壁部的上表面的高度位置之差与所述厚壁部的厚度之和设为A，将所述绝缘层的厚度与所述散热器的厚度之和设为B，则满足A>B。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述厚壁部还设置于经由导线与所述功率芯片连接的所述引线框的导线键合部分。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述功率芯片是将SiC作为材料而形成的。