[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区，位于所述第一区上的第一栅极结构，以及位于第一栅极结构两侧的第一源漏掺杂区；

在所述基底上形成介质结构，所述介质结构覆盖第一栅极结构和第一源漏掺杂区；

采用第一刻蚀工艺刻蚀所述介质结构，在所述介质结构内形成第一源漏凹槽，且所述第一源漏掺杂区位于所述第一源漏凹槽的底部；

采用第二刻蚀工艺刻蚀位于所述第一源漏凹槽底部的第一源漏掺杂区，在所述第一源漏掺杂区内形成第二源漏凹槽，且所述第二源漏凹槽位于所述第一源漏凹槽的底部，所述第二源漏凹槽的顶部尺寸小于所述第一源漏凹槽的底部尺寸；

所述第二源漏凹槽的形成步骤包括：在所述介质结构上形成第二图形化结构，所述第二图形化结构定义出所述第二源漏凹槽的形状和位置；以所述第二图形化结构为掩膜，采用第二刻蚀工艺刻蚀位于所述第一源漏凹槽底部的第一源漏掺杂区；

所述第二源漏凹槽的形成步骤还包括：在形成第二图形化结构之前，在所述介质结构上形成填充所述第一源漏凹槽的第一牺牲膜，所述第二图形化结构位于所述第一牺牲膜上。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或两种组合。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或两种组合。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用的刻蚀溶液包括四甲基氢氧化铵溶液或氨水，刻蚀溶液的温度为25℃至75℃。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的工艺步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一源漏掺杂区，形成初始第二源漏凹槽；再采用湿法刻蚀工艺刻蚀所述初始第二源漏凹槽的内壁，形成所述第二源漏凹槽。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括第二区，位于第二区上的第二栅极结构以及位于第二栅极结构两侧的第二源漏掺杂区；所述介质结构还覆盖所述第二栅极结构和第二源漏掺杂区；所述第一刻蚀工艺还在所述介质结构内形成第三源漏凹槽，且所述第二源漏掺杂区位于所述第三源漏凹槽的底部。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺还刻蚀位于所述第三源漏凹槽底部的第二源漏掺杂区，在所述第二源漏掺杂区内形成第四源漏凹槽，且所述第四源漏凹槽位于所述第三源漏凹槽的底部。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺还刻蚀所述介质结构，在所述介质结构内形成第一栅极凹槽，所述第一栅极凹槽暴露出第一栅极结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一源漏凹槽、第二源漏凹槽内形成第一源漏插塞；在所述第一栅极凹槽内形成第一栅极插塞。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏插塞和第一栅极插塞的形成步骤包括：在所述介质结构上形成插塞材料层，且所述插塞材料层还填充所述第一源漏凹槽、第二源漏凹槽、以及第一栅极凹槽；平坦化所述插塞材料层，直至暴露出所述介质结构。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏插塞包括位于第二源漏凹槽内的第一源漏插塞底区和位于第一源漏凹槽内的第一源漏插塞顶区；所述第一源漏插塞顶区具有垂直于所述第一栅极结构侧壁的第一尺寸，所述第一源漏插塞底区具有垂直于所述第一栅极结构侧壁的第二尺寸，所述第二尺寸小于所述第一尺寸。