[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，其包括：半导体晶粒，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成在所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面以及形成在所述第二表面上的多个互连结构；EMI屏蔽层，其包括屏蔽所述半导体晶粒的所述第一表面的第一导电层和屏蔽所述半导体晶粒的所述第三表面的第二导电层；基板，其电连接到所述半导体晶粒的所述多个互连结构；以及囊封部分，其囊封所述EMI屏蔽层和所述基板。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。本发明公开的实施例提供一种半导体装置。

背景技术

近年来的电子装置，例如智能型手机、膝上型计算机和平板计算机，包括配备有无线通信功能的多个无线半导体装置。无线半导体装置由于内建集成电路的时序频率和高数据传输速度而产生电磁噪声。为了抑制电磁噪声，通常使用基板级“金属屏蔽”方法。然而，基板级“金属屏蔽”方法涉及可能导致低生产率和不良合格率的复杂的制造过程。此外，复杂的制造过程可能阻碍利用该制造过程的电子装置的小型化和薄化。

发明内容

包括半导体晶粒及/或用EMI屏蔽处理的囊封部分的半导体装置基本上与附图中的至少一个一起显示及/或描述，并且在权利要求书中更全面地阐述。

根据本发明的一态样为一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体晶粒，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成在所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面以及形成在所述第二表面上的多个互连结构；EMI屏蔽层，其包括屏蔽所述半导体晶粒的所述第一表面的第一导电层和屏蔽所述半导体晶粒的所述第三表面的第二导电层；基板，其电连接到所述半导体晶粒的所述多个互连结构；以及囊封部分，其囊封所述EMI屏蔽层和所述基板。

所述态样的半导体装置进一步包括：另一半导体晶粒，其与所述半导体晶粒水平地间隔开；其中所述EMI屏蔽层的所述第二导电层介于所述半导体晶粒和所述另一半导体晶粒之间。

在所述态样的半导体装置中，所述半导体晶粒包括：接触垫，其电连接到所述多个互连结构中的互连结构；以及接地电路图案，其电连接所述接触垫和所述EMI屏蔽层。

在所述态样的半导体装置中，所述EMI屏蔽层包括选自导电聚合物、导电油墨、导电膏和导电箔的材料。

所述态样的半导体装置进一步包括填充所述半导体晶粒和所述基板之间的间隙的底部填充物。

在所述态样的半导体装置中，所述EMI屏蔽层包括非溅射的EMI屏蔽层。

在所述态样的半导体装置中，所述EMI屏蔽层包括铜箔。

在所述态样的半导体装置中，所述EMI屏蔽层包括旋涂的EMI屏蔽层。

在所述态样的半导体装置中，所述EMI屏蔽层包括喷射印刷的EMI屏蔽层。

根据本发明的另一态样为一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体晶粒，其包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、形成在所述第一表面和所述第二表面之间的第三表面以及形成在所述第二表面上的多个互连结构；非溅射的EMI屏蔽层，其屏蔽所述半导体晶粒的所述第一表面；多个EMI屏蔽线，其围绕所述半导体晶粒的所述第三表面定位且电连接到所述非溅射的EMI屏蔽层；基板，其电连接到所述半导体晶粒的所述多个互连结构；以及囊封部分，其囊封所述非溅射的EMI屏蔽层、所述EMI屏蔽线和所述基板。

在所述态样的半导体装置中，所述非溅射的EMI屏蔽层包括选自导电聚合物、导电油墨、导电膏和导电箔的材料。

在所述态样的半导体装置中，所述多个EMI屏蔽线围绕且感应地屏蔽所述半导体晶粒的所述第三表面。

在所述态样的半导体装置中，所述多个EMI屏蔽线与所述半导体晶粒的所述第三表面间隔开。