[发明专利]一种低成本的智能芯片载带以及制造方法有效
申请号: | 201710415093.8 | 申请日: | 2017-06-05 |
公开(公告)号: | CN107086182B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 陈庆颖;王广南;张成彬 | 申请(专利权)人: | 新恒汇电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52;H01L21/673 |
代理公司: | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人: | 孙爱华 |
地址: | 255088 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 智能 芯片 以及 制造 方法 | ||
1.一种低成本的智能芯片载带,包括载带基材(5),在载带基材(5)的上表面形成表面导电层,绝缘沟槽(4)将表面导电层间隔为若干接触块,表面金属层包括底层金属层和设置在底层金属层上表面的接触金属层,其特征在于:在载带基材(5)的下表面开设有与接触块相对应的焊接孔(10),在焊接孔(10)内设置有与表面导电层相贴合的孔内金属层,在载带基材(5)的中部开设有腔孔(8),在腔孔(8)的上表面设置有绝缘层(7);
在所述的腔孔(8)的上表面设置绝缘流体,固化后形成所述的绝缘层(7);
所述的底层金属层为铜箔层(6),所述的接触金属层为次贴合在铜箔层(6)上表面的接触镍层(3)和接触金层(1)。
2.根据权利要求1所述的低成本的智能芯片载带,其特征在于:所述的孔内金属层包括依次贴合在底层金属层下表面的焊接镍层(2)和焊接金层(9)。
3.一种用于制造权利要求1或2所述的低成本的智能芯片载带的制造方法,其特征在于:包括如下步骤:
步骤1,冲压,在载带基材(5)的下表面冲压形成腔孔(8)和焊接孔(10);
步骤2,在载带基材(5)在上表面进行贴铜工艺形成底层金属层;
步骤3,形成绝缘层(7),在腔孔(8)内形成绝缘层(7);
步骤4,压干膜,在铜箔层(6)的上表面和载带基材(5)的下表面分别形成表层干膜(11)和底层干膜(12);
步骤5,曝光,对表层干膜(11)进行曝光操作,在发生曝光之后设置在表层干膜(11)上的图形转移到铜箔层(6)上,形成曝光层(13);
步骤6,显影,对表层干膜(11)进行显影操作,步骤5中未曝光的表层干膜(11)被去除,形成绝缘沟槽(4);
步骤7,对绝缘沟槽(4)进一步刻蚀,刻蚀到载带基材(5)的位置;
步骤8,退膜,将表面的曝光层(13)以及底面的底层干膜(12)去除;
步骤9,在底层金属层的表面形成接触金属层;
步骤10,在焊接孔(10)内形成焊接金属层。
4.根据权利要求3所述的低成本的智能芯片载带,其特征在于:在所述的步骤3形成绝缘层(7)的过程中,包括如下步骤,
步骤3-1,对载带基材(5)以及铜箔层(6)进行烘烤;
步骤3-2,在腔孔(8)内涂敷绝缘流体;
步骤3-3,固化绝缘流体,进行二次烘烤或UV灯光照射使绝缘流体固化,形成绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造