[发明专利]集成电路的封装装置在审
| 申请号： | 201710372732.7 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108735682A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 戴唐全;黄圣崴 | 申请（专利权）人： | 力智电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴;张立晶 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体晶粒 绝缘层 侧壁缺口 封装装置 导电层 侧面 集成电路 侧面延伸 短路 覆盖 填满 锡膏 刀具 阻隔 | ||
1.一种集成电路的封装装置，其特征在于，上述封装装置包括：
一半导体晶粒，具有一晶粒表面、一第一侧面、一接触部与一侧壁缺口，其中上述侧壁缺口位于上述第一侧面；
一第一绝缘层，设置于上述晶粒表面，且至少部分填满上述侧壁缺口，其中上述第一绝缘层露出上述接触部；以及
一导电层，设置于上述接触部并朝向上述第一侧面延伸而部分覆盖上述第一绝缘层；
其中，覆盖上述侧壁缺口的上述第一绝缘层于上述半导体晶粒的上述第一侧面形成一阻隔部。
2.如权利要求1所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述封装装置更包括：
一密封环，位于上述接触部与上述侧壁缺口之间。
3.如权利要求2所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述导电层往上述侧壁缺口延伸并超过上述密封环。
4.如权利要求1所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述导电层具有一第二侧面，且上述导电层露出上述第二侧面。
5.如权利要求4所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述导电层的上述第二侧面与上述第一侧面之间有一预设距离，且上述预设距离的范围为5um～15um。
6.如权利要求4所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述第二侧面位于一密封环与上述侧壁缺口之间，且上述密封环位于上述接触部与上述侧壁缺口之间。
7.如权利要求4所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述第二侧面位于上述侧壁缺口上。
8.如权利要求1所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述封装装置还包括：
一第二绝缘层，位于上述第一绝缘层上并与上述导电层相邻。
9.一种集成电路的封装装置，其特征在于，上述封装装置包括：
一半导体晶粒，具有一晶粒表面、一第一侧面、一接触部、一密封环与一侧壁缺口，其中上述侧壁缺口位于上述第一侧面，上述密封环位于上述接触部与上述侧壁缺口之间；
一第一绝缘层，设置于上述晶粒表面，且至少部分填满上述侧壁缺口，其中上述第一绝缘层露出上述接触部并覆盖上述密封环；以及
一导电层，设置于上述接触部并朝向上述第一侧面延伸而部分覆盖上述第一绝缘层；
其中，朝向上述第一侧面延伸的上述导电层超过上述密封环并贴近上述第一侧面。
10.如权利要求9所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述导电层具有一第二侧面且上述导电层露出上述第二侧面。
11.如权利要求10所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述第二侧面位于上述密封环与上述侧壁缺口之间。
12.如权利要求10所述集成电路的封装装置，其特征在于，上述第二侧面位于上述侧壁缺口上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力智电子股份有限公司，未经力智电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710372732.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
