[发明专利]封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

导线架，包括多个第一接点；

绝缘基材，包覆所述导线架；

多个第一导通孔，设置于所述绝缘基材上并连通所述多个第一接点；

图案化金属层，覆盖所述绝缘基材的外表面并包括第一沟槽以及线路部，所述线路部连接并覆盖所述多个第一导通孔及所述多个第一接点，所述第一沟槽环绕所述线路部，以使所述线路部与其余的所述图案化金属层电性绝缘，其中所述第一沟槽所暴露的所述绝缘基材的一表面低于所述外表面；以及

芯片，设置于所述绝缘基材上并与所述线路部电性连接。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材的材料包括环氧化合物、邻苯二甲酸二烯丙酯、苯并环丁烯、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、液晶高分子、聚酰胺、尼龙6、共聚聚甲醛、聚苯硫醚、聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲脂、ABS树脂或环状烯烃共聚物。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材的材料不包括能够被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材的材料包括能够被激光、等离子体或机械刀具激活为可进行金属化镀膜的金属氧化复合物。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属氧化复合物包括锌、铜、银、金、镍、钯、铂、钴、铑、铱、铟、铁、锰、铝、铬、钨、钒、钽、钛或其任意组合。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述图案化金属层还包括多个外部接垫，设置于所述绝缘基材相对于所述芯片的下表面并电性连接所述多个第一接点。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线架包括多个外部接垫，暴露于所述绝缘基材之外并电性连接所述多个第一接点。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括第二导通孔，设置于所述绝缘基材上并电性连接所述导线架的接地电极，且所述其余的图案化金属层覆盖并电性连接所述第二导通孔。

9.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括元件设置槽，所述芯片及所述多个第一导通孔设置于所述元件设置槽内。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线架还包括至少一第二接点，所述绝缘基材还包括至少一开口，以暴露所述第二接点，所述线路部连接并覆盖所述开口及所述第二接点。

11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括第二沟槽，其位于所述第一沟槽所框围的范围内并与所述第一沟槽之间维持间隙，所述线路部覆盖所述第二沟槽以及所述间隙，所述第二沟槽的底面低于所述外表面。

12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述图案化金属层的材料包括金、钯、银、锡、钨、钛、钒或铜。

13.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线架包括金属柱阵列，且所述多个第一接点包括多个金属柱。

14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述导线架还包括芯片座，所述多个金属柱围绕所述芯片座设置。

15.根据权利要求14所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘基材还包括凹槽，以暴露所述芯片座的顶面。