[发明专利]半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一电子组件，设置在基板的第一表面上；

第一导电构件，设置在所述第一电子组件上；

密封构件，被构造为覆盖所述第一电子组件，并且包括使所述第一导电构件暴露于所述半导体封装件的外部的孔；及

第二导电构件，设置在所述孔上并连接到所述第一导电构件，

其中，所述第二导电构件包括第二种子层和第二金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一导电构件包括第一种子层和第一金属层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

防氧化层，形成在所述第一导电构件和所述第二导电构件上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

散热构件，设置在所述密封构件上并连接到所述第一导电构件。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述孔形成为具有倾斜的壁。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述孔包括具有第一尺寸的第一扩张部和具有第二尺寸的第二扩张部。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第二电子组件，设置在所述基板的第二表面上。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

辅助基板，设置在所述基板的第二表面上。

9.一种半导体封装件，包括：

电子组件，设置在基板上；

第一导电构件，设置在所述电子组件的表面上；

密封构件，被构造为覆盖所述电子组件；

第二导电构件，从所述密封构件的表面向所述第一导电构件延伸；及

槽，从所述第二导电构件的表面向所述第一导电构件延伸，

其中，所述槽形成为具有倾斜的表面。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

散热构件，设置在所述密封构件上并连接到所述第二导电构件。

11.一种半导体封装件，包括：

第一电子组件，设置在基板的第一表面上；

第一导电构件，设置在所述第一电子组件上；

密封构件，形成在所述基板的第一表面和所述第一电子组件上，其中，空腔延伸穿过所述密封构件以暴露所述第一导电构件的一部分；

第二导电构件，设置在所述空腔的内表面上；及

防氧化层，被构造为覆盖所述第二导电构件和所述第一导电构件的所述部分，

其中，所述第二导电构件包括第二种子层和第二金属层。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述空腔的在所述密封构件的表面处的表面面积大于所述空腔的内底。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述空腔具有倾斜的内表面。

14.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述空腔包括：第一扩张部，形成在与所述第一电子组件相邻的位置；第二扩张部，形成在与所述密封构件的外表面相邻的位置，其中，所述第一扩张部的直径小于所述第二扩张部的直径。

15.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，所述第一导电构件和所述第二导电构件均包括种子层和金属层。

16.根据权利要求15所述的半导体封装件，其中，所述种子层包括硫代硫酸银，所述金属层包括铜。