[发明专利]包括散热器的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

第一半导体器件，该第一半导体器件被设置在互连结构层的第一表面上；

贯穿模球连接体TMBC，所述TMBC被设置在所述互连结构层的所述第一表面上以与所述第一半导体器件相邻；

模塑层，该模塑层按照暴露各个所述TMBC的一部分的方式被设置在所述互连结构层的所述第一表面上；

外连接体，所述外连接体分别附接至所述TMBC；以及

第二半导体器件和第一散热器，该第二半导体器件和该第一散热器被设置在所述互连结构层的与所述模塑层相对的第二表面上，

其中，所述第一散热器被设置为与所述第二半导体器件间隔开并且与所述第一半导体器件的一部分垂直地交叠，

其中，所述互连结构层包括：

介电体；

第一垂直互连部分，所述第一垂直互连部分被设置在所述介电体中以将所述第一半导体器件电连接至所述第二半导体器件；

第二垂直互连部分，所述第二垂直互连部分被设置在所述介电体中以将所述第二半导体器件电连接至所述外连接体中的一些外连接体；

水平互连部分，所述水平互连部分被设置在所述介电体中以将所述第一半导体器件电连接至所述外连接体中的一些其它外连接体；以及

导电迹线图案，所述导电迹线图案构成到所述第一散热器的散热路径并且与所述第一垂直互连部分、所述第二垂直互连部分和所述水平互连部分电断开。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述TMBC包括熔点大于所述模塑层的模塑温度的材料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述TMBC包括熔点大于用于所述模塑层的模塑后固化工艺的固化温度的材料。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述TMBC包括铜。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述TMBC包括熔点大于锡的熔点的材料。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述TMBC包括熔点是锡的熔点的至少两倍的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

结合焊盘，所述结合焊盘被设置在所述互连结构层的所述第二表面上并且结合至所述第一散热器且连接到所述导电迹线图案。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，该半导体封装还包括被设置在所述互连结构层的所述第二表面上以将所述第二半导体器件连接至所述互连结构层的第一凸块焊盘，

其中，所述结合焊盘的厚度大于所述第一凸块焊盘的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，连接至第二垂直互连部分的所述外连接体被设置为与所述第二半导体器件垂直地交叠。

10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一散热器在平面图中具有闭环形状以提供设置所述第二半导体器件的贯通孔。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一散热器利用热界面材料层附接至所述互连结构层的所述第二表面。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

封装基板，该封装基板附接至所述外连接体；以及

第二散热器，该第二散热器利用热界面材料层附接至所述第二半导体器件和所述第一散热器，

其中，所述第二散热器延伸以附接至所述封装基板。