[发明专利]具有伪装功能的半导体装置

说明书

本发明公开一种具有伪装功能的半导体装置，包括逻辑器件与至少一伪装器件。所述逻辑器件是形成在基板上并可通过一偏压开启。所述伪装器件也是形成在基板上，但是伪装器件无法以施加于所述逻辑器件的相同偏压开启。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，且特别是涉及一种具有伪装功能的半导体装置。

背景技术

对于半导体装置的设计与发展而言，通常需要非常昂贵又长时间的研究。然而，无良的制造商却通过逆向工程复制或仿制半导体的知识产权。所谓的逆向工程本质上试图省略在生产半导体器件中相关的典型产品开发周期和费用，这种逆向工程通常是根据取得电路的上视SEM/TEM检查图或根据数据库仿制。

因此，业界需要在半导体装置中设置一些假装置来避免逆向工程。

发明内容

本发明提供一种具有伪装功能的半导体装置，难以从半导体装置中区分正常的器件和假的器件。

依照本发明的一实施例，一种具有伪装功能的半导体装置包括逻辑器件与至少一伪装器件。所述逻辑器件与所述伪装器件都形成在基板上，且逻辑器件可通过一偏压开启，但是伪装器件无法以施加于所述逻辑器件的相同偏压开启。

为让本发明的上述特征和目的能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图2为图1的具有伪装功能的半导体装置的电流-电压(I-V)曲线图；

图3为本发明的第二实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图4为本发明的第三实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图5为本发明的第四实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图6为本发明的第五实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图7为本发明的第六实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图8为本发明的第七实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的平面示意图；

图9A为图8的具有伪装功能的半导体装置的一例的剖面示意图；

图9B为图8的具有伪装功能的半导体装置的另一例的剖面示意图；

图10为本发明的第八实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图11为本发明的第九实施例的一种具有伪装功能的半导体装置的剖面示意图；

图12为具有数个器件的半导体装置例的电路图，其中包含数个本发明的伪装器件；

图13为图12的半导体装置的正确NAND电路的电路图；

图14为图12的半导体装置的正确NOR电路的电路图。

符号说明

10a、1100a：逻辑器件

10b、30、40、50、60：第一伪装器件

70：第二伪装器件

100：基板

101：栅氧化物

102、300a、300b：栅极

104：源极

106：漏极

108：第一LDD