[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区、第二区和第三区，所述第三区位于所述第一区和第二区之间；

形成从第一区延伸至第二区的伪栅结构，所述伪栅结构贯穿所述第三区；

分别在所述第一区伪栅结构两侧的基底内形成第一源漏掺杂区；

分别在所述第二区伪栅结构两侧的基底内形成第二源漏掺杂区；

形成所述第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区之后，形成贯穿所述伪栅结构的介质开口，所述介质开口暴露出第三区的基底；

在所述介质开口内形成层间介质层，所述层间介质层的顶部表面与伪栅结构的顶部表面齐平。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一源漏掺杂区之前，还包括：在所述第二区基底、第三区基底、第三区伪栅结构和第二区伪栅结构上形成第一保护层；所述第一保护层的厚度为：6纳米～10纳米。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的形成步骤包括：在所述第一区、第二区和第三区的基底以及伪栅结构上形成第一保护膜；去除位于所述第一区基底以及第一区伪栅结构上的第一保护膜，形成第一保护层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一源漏掺杂区的形成步骤包括：采用刻蚀工艺在所述第一区伪栅结构两侧的基底内形成第一开口；采用选择性外延沉积工艺在所述第一开口内形成外延层；在所述外延层内掺杂P型离子或N型离子，形成所述第一源漏掺杂区。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二源漏掺杂区之前，还包括：在所述第一区基底、第三区基底、第一区伪栅结构和第三区伪栅结构上形成第二保护层；所述第二保护层的厚度为：6纳米～10纳米。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二保护层的形成步骤包括：在所述第一区、第二区和第三区的基底以及伪栅结构上形成第二保护膜；去除位于所述第二区基底以及第二区伪栅结构上的第二保护膜，形成第二保护层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二源漏掺杂区的形成步骤包括：采用刻蚀工艺在所述第二区伪栅结构两侧的基底内形成第二开口；采用选择性外延沉积工艺在所述第二开口内形成外延层；在所述外延层内掺杂P型离子或N型离子，形成所述第二源漏掺杂区。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质开口在沿伪栅结构延伸方向上的尺寸为：20纳米～40纳米。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层之后，还包括：去除伪栅结构形成伪栅开口。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构包括：伪栅极层；去除所述伪栅结构的步骤包括：去除伪栅极层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述伪栅结构还包括：伪栅介质层；所述伪栅极层位于所述伪栅介质层上；去除所述伪栅结构的步骤还包括：去除伪栅极层之后，去除伪栅介质层。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成层间介质层之前，还包括：在所述介质开口的侧壁形成第一侧墙。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括：氮化硅；所述第一侧墙的厚度为：2纳米～3纳米。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一侧墙之前，还包括：在所述介质开口侧壁上形成第二侧墙。