[发明专利]半导体制造方法

说明书

本发明的实施方式提供一种不会产生镀覆遗漏不良的半导体制造方法。所述方法具备如下步骤：在晶片(Wafer)的一主面上，利用第1镀覆处理形成第1金属膜；一边从与晶片的一主面离开配置的清洗器朝一主面上喷射清洗液，一边使清洗器及晶片的至少一个旋转，而清洗第1金属膜的表面；以及在第1金属膜上，利用第2镀覆处理形成第2金属膜。在清洗器，设有沿一方向配置的多个喷嘴。多个喷嘴和与晶片的中心位置对向的位置偏离配置，且在晶片的周缘部侧比晶片的中心侧配置更多。配置在晶片的周缘部侧的喷嘴对从一方向倾斜的方向的第1范围内喷射清洗液，配置在晶片的中心侧的喷嘴中的1个对包含晶片的中心位置的第2范围内喷射清洗液。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2016-50105号(申请日：2016年3月14日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造方法。

背景技术

已知有将形成有半导体元件或集成电路的芯片在衬底上积层多段，而减小半导体装置的占用面积的技术。有时为了谋求所积层的各芯片间的电导通，而形成被称为TSV(Through Silicon Via：硅穿孔)的贯通电极。

对导孔填埋金属通常是利用电场镀覆等镀覆处理进行。在贯通电极的镀覆处理中，有时为了提高导电性或耐久性等，而积层多层金属。在此情况下，重复进行如下处理：在浸没在镀覆液中形成一层量的金属膜之后，用水清洗金属膜的表面去除镀覆液，然后，浸没在下一镀覆液中形成新的金属膜。

然而，当用水清洗金属膜的表面时，会在金属膜的表面形成氧化膜。因此，必须在以某种方式去除氧化膜之后，形成下一金属膜，但是依构成金属膜的金属材料，有时难以去除氧化膜。在此情况下，变成在氧化膜之上，利用镀覆处理形成新的金属膜，但是因为氧化膜与金属膜接触性欠佳，所以有产生镀覆遗漏不良的忧虑。

发明内容

本发明的实施方式提供一种不会产生镀覆遗漏不良的半导体制造方法。

本发明的一形态的半导体制造方法具备如下步骤：在半导体晶片的一主面上，利用第1镀覆处理形成第1金属膜；

一边从与所述半导体晶片的所述一主面离开配置的清洗器朝所述一主面上喷射清洗液，一边使所述清洗器及所述半导体晶片的至少一个旋转，而清洗所述第1金属膜的表面；以及

在所述第1金属膜上，利用第2镀覆处理形成第2金属膜；且

在所述清洗器，设有沿一方向配置的多个喷嘴；

所述多个喷嘴和与所述半导体晶片的中心位置对向的位置偏离配置，且在所述半导体晶片的周缘部侧比所述半导体晶片的中心侧配置更多；

配置在所述半导体晶片的周缘部侧的喷嘴对从所述一方向倾斜的方向的第1范围内喷射所述清洗液；

配置在所述半导体晶片的中心侧的喷嘴中的1个对包含所述半导体晶片的中心位置的第2范围内喷射所述清洗液。

附图说明

图1是清洗步骤所使用的清洗装置的剖视图。

图2是表示本实施方式的清洗器的喷嘴的配置的图。

图3是表示从图2的各喷嘴喷射的水的喷射范围的图。

图4是表示一比较例的清洗器的喷嘴的配置的图。

图5是表示从图4的各喷嘴喷射的水的喷射范围的图。

图6是表示部分使用本实施方式的半导体制造方法制造的半导体装置的概略构成的剖视图。

图7是图6所示的贯通电极的详细剖视图。

具体实施方式