[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 201710128639.1 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107195532B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;庄子史人;小木曾浩二 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
1.一种半导体制造方法，其特征在于，具备如下步骤：
在半导体晶片的一主面上，利用第1镀覆处理形成第1金属膜；
一边从与所述半导体晶片的所述一主面离开配置的清洗器朝所述一主面上喷射清洗液，一边使所述清洗器及所述半导体晶片的至少一个旋转，而清洗所述第1金属膜的表面；以及
在所述第1金属膜上，利用第2镀覆处理形成第2金属膜；且
在所述清洗器，设有沿一方向配置的多个喷嘴；
所述多个喷嘴和与所述半导体晶片的中心位置对向的位置偏离配置，且在所述半导体晶片的周缘部侧比所述半导体晶片的中心侧配置更多；
配置在所述半导体晶片的周缘部侧的喷嘴对从所述一方向倾斜的方向的第1范围内喷射所述清洗液；
配置在所述半导体晶片的中心侧的喷嘴中的1个对包含所述半导体晶片的中心位置的第2范围内喷射所述清洗液。
2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其特征在于：所述一方向是与通过所述半导体晶片的中心位置的法线交叉且在与所述一主面平行的方向上延伸的方向。
3.根据权利要求2所述的半导体制造方法，其特征在于：所述多个喷嘴是以与通过所述半导体晶片的中心位置的法线交叉的点为基准点，在所述一方向的一侧与另一侧各配置相同数量。
4.根据权利要求3所述的半导体制造方法，其特征在于：在所述一方向的所述一侧与所述另一侧各自的所述半导体晶片的周缘侧，配置2个以上喷嘴，这些2个以上喷嘴的每一个对从所述一方向倾斜相同角度的所述第1范围内喷射所述清洗液。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于：所述清洗器以所述一方向的中心位置为旋转轴，在所述半导体晶片的周围旋转；
所述半导体晶片被固定。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于具备如下步骤：
在形成所述第2金属膜之后，一边从所述清洗器朝所述一主面上喷射清洗液，一边使所述清洗器或所述半导体晶片旋转，而清洗所述第2金属膜的表面；以及
在所述第2金属膜上，利用第2镀覆处理形成第3金属膜。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体制造方法，其特征在于：
具备在形成在所述半导体晶片的孔的内壁部分形成绝缘膜的步骤；且
在所述第1镀覆处理中，在形成在所述孔的内部的侧壁的所述绝缘膜上形成所述第1金属膜，所述孔内部的所述第1金属膜的膜厚相对于所述孔直径的比例为15.6％以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
