[发明专利]半导体存储器设备及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器设备，包括：

存储器元阵列，在所述存储器元阵列中，多个存储器元被串联地连接以形成存储器单元；

字线，其被连接至所述多个存储器元的控制栅极；

位线，其被连接至所述存储器单元的第一端部；

源极线，其被连接至所述存储器单元的第二端部；以及

控制单元，其控制所述存储器元阵列，其中，

在对所述存储器元的写入操作中，当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，所述控制单元能操作用于：

向对应于选定的存储器元的字线施加编程电压，并且

使得被施加至与位于所述第一端部和所述选定的存储器元之间的第一未被选定的存储器元相对应的第一字线的电压高于被施加至与位于所述第二端部和所述选定的存储器元之间的第二未被选定的存储器元相对应的第二字线的电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，

当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，被施加至所述第二字线的所述电压具有负值。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，

在对所述存储器元的写入操作中，当要被提供至选定的存储器元的阈值电压小于参考值时，所述控制单元能操作用于：

向对应于选定的存储器元的字线施加编程电压，并且

使得被施加至与位于所述第一端部和所述选定的存储器元之间的第一未被选定的存储器元相对应的第一字线的电压等于被施加至与位于所述第二端部和所述选定的存储器元之间的第二未被选定的存储器元相对应的第二字线的电压。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器设备，其中，

当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，被施加至所述第二字线的所述电压具有负值。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，

当存在多条所述第二字线时，所述控制单元向更靠近所述选定的存储器元的第二字线施加更高的电压。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，

当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，所述控制单元能操作用于执行第一电压施加操作和第二电压施加操作，

所述第一电压施加操作使得被施加至所述第一字线的电压等于被施加至所述第二字线的电压，并且

所述第二电压施加操作使得被施加至所述第一字线的电压高于被施加至所述第二字线的电压。

7.根据权利要求3所述的半导体存储器设备，其中，

当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，所述控制单元能操作用于执行第一电压施加操作和第二电压施加操作，

所述第一电压施加操作使得被施加至所述第一字线的电压等于被施加至所述第二字线的电压，并且

所述第二电压施加操作使得被施加至所述第一字线的电压高于被施加至所述第二字线的电压。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器设备，其中，

当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，被施加至所述第二字线的所述电压具有负值。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，

所述控制单元能操作用于从所述第二端部顺次地选择存储器元以执行写入操作。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器设备，其中，

当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，被施加至所述第二字线的所述电压具有负值。

11.根据权利要求1所述的半导体存储器设备，其中，所述存储器单元包括：

存储器杆；

电荷累积层，其被提供在所述存储器杆的侧壁上；以及

导电层，其围绕所述存储器杆的侧表面，

所述电荷累积层被连续地提供在一个存储器单元中的多个所述存储器元之上。