[发明专利]图形密度计算方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种图形密度计算方法。

背景技术

在CMP(化学机械研磨)的模型建立中，需要涉及到图形密度，根据图形密度来判断图形是否均匀，以进一步完成对工艺的完善。

通常情况下，业界根据每个格点被覆盖的面积可以估算出图形密度分布。如图1和图2所示，图1为一个图形A覆盖格点B的示意图；图2为图形A在格点B中的密度分布。具体可以通过格点色阶来表示图形A在每个格点所占面积，进而表示出图形密度分布情况。如图2中通过不同的填充来示意，上方3个格点B无填充，表明没有图形分布；下方的左侧两个格点填充最淡，右侧两个格点填充次之，中间两个格点填充最浓，可以进一步结合不同填充所对应的密度范围，计算出具体的图形密度分布情况。

但是，对于复杂和大规模的IC版图，每个格点中图形面积计算是复杂的。另外，在CMP模型中常常用到不同范围内的密度分布，比如同时需要100μm、50μm和10μm范围内的密度分布来判断图形的均匀性。不同范围的估算，需要重新划分格点，计算面积，大大增加了计算量。

因此，如何改善这一状况，对提高计算效率，改良生产，有着重大的作用。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种图形密度计算方法，提高计算效率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种图形密度计算方法，包括：

根据采样率确定图形的采样区域；

沿图形边界扫描，建立小波变换索引；

计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；

根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；

将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述小波变换为二维哈尔小波变换。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，在沿图形边界扫描，建立小波变换索引之前，建立正交基函数。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述正交基函数为Ψ(0，0)，Ψ(1，0)，Ψ(0，1)，Ψ(1，1)。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，在建立正交基函数之后，在沿图形边界扫描，建立小波变换索引之前，还包括：

删减展开后为0的基函数Ψ(1，1)。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，对于大于10级小波变换的采样区域，进行分割采用多处理器并行计算。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述10级小波的采样区域范围为边长5000μm的正方形。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，通过计算采样区域中图形边界和小波变换的交点的值计算所述面积。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积采用多处理器并行计算。

可选的，对于所述的图形密度计算方法，所述采样区域为若干条边围成的封闭图形。

与现有技术相比，本发明提供的图形密度计算方法中，包括：根据采样率确定图形的采样区域；沿图形边界扫描，建立小波变换索引；计算小波变换每个子块与图形边界相交的面积，获得子块系数；根据子块系数构建各阶小波变换矩阵；将各阶小波变换矩阵依次相加，得到不同级次下的图形密度分布。由此采用了小波变换，能够同时给出多个范围的密度分布，而且可以大幅减小计算量，提高了计算效率；

进一步的，通过多处理器并行计算，也能够提高计算效率。

附图说明

图1为现有技术中一个图形A覆盖格点B的示意图；

图2为图形A在格点B中的密度分布；

图3为本发明中图形密度计算方法的流程图；

图4为本发明一实施例中选用的基函数；

图5为本发明一实施例中确定采样区域的示意图；

图6为本发明一实施例中建立小波变换索引的示意图；

图7为本发明一实施例中图形边界与小波变换相交的示意图；

图8为本发明一实施例中不同级次下的图形密度分布。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的图形密度计算方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。