[发明专利]半导体装置、集成电路结构与半导体装置的形成方法

说明书

一种半导体装置、集成电路结构与半导体装置的形成方法。上述半导体装置包括一第一静态随机存取存储器阵列以及设置在上述第一静态随机存取存储器阵列之外的一第一逻辑单元。上述第一静态随机存取存储器阵列包括多个静态随机存取存储器单元，其中每一上述静态随机存取存储器单元具有一第一单元高度。上述第一逻辑单元具有上述第一单元高度。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体装置，且特别涉及一种具有静态随机存取存储器(SRAM)单元以及逻辑单元的半导体装置。

背景技术

静态随机存取存储器(SRAM)通常用于集成电路中。SRAM单元具有能维持数据而不需要更新(refresh)的优点。随着对集成电路的速度越来越高的要求，SRAM单元的读取速度和写入速度也变得更重要。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体装置。上述半导体装置包括一第一静态随机存取存储器阵列以及设置在上述第一静态随机存取存储器阵列之外的一第一逻辑单元。上述第一静态随机存取存储器阵列，包括多个静态随机存取存储器单元，其中每一上述静态随机存取存储器单元具有一第一单元高度。上述第一逻辑单元具有上述第一单元高度。

再者，本公开实施例提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一静态随机存取存储器单元以及一逻辑单元。上述静态随机存取存储器单元包括一第一数量的半导体鳍，其中上述静态随机存取存储器单元具有互相平行的一第一边界以及一第二边界，以及具有互相平行的一第三边界以及一第四边界，其中上述静态随机存取存储器单元具有一第一单元高度，以及上述第一单元高度是从上述第三边界测量至上述第四边界而得到。上述逻辑单元包括上述第一数量的半导体鳍，其中上述逻辑单元具有上述第一单元高度。

再者，本公开实施例提供一种半导体装置的形成方法。在一第一半导体装置中形成包括多个静态随机存取存储器单元的一第一静态随机存取存储器阵列。每一上述静态随机存取存储器单元具有一第一数量的半导体鳍，且具有互相平行的一第一边界以及一第二边界，以及具有互相平行的一第三边界以及一第四边界，其中上述静态随机存取存储器单元具有一第一单元高度，以及上述第一单元高度是从上述第三边界测量至上述第四边界而得到。在上述第一半导体装置中形成一逻辑单元。上述逻辑单元具有上述第一数量的半导体鳍以及上述第一单元高度。

附图说明

图1显示根据本公开一些实施例所述的SRAM单元的电路图；

图2显示SRAM单元的另一电路图；

图3显示SRAM单元以及逻辑单元的多层的剖面示意图；

图4显示根据部分实施例所公开的SRAM阵列的方块图；

图5A至图5I显示根据部分实施例所述的存储器单元的布局特征；

图6显示根据一些实施例所述的逻辑单元的电路图；

图7显示根据一些实施例所述的的逻辑单元的布局；

图8显示根据一些实施例所述的SRAM单元的布局；以及

图9显示根据一些实施例所述的逻辑单元的布局。

附图标记说明：

10、600～SRAM单元；

10A、10B、10C和10D～外边界；

102、104～正电源供应节点；

106、108～电源供应节点；

110、112～数据节点；

114～位元线；

116～反位元线；

118～位元线节点；