[发明专利]基板结构及其制法

说明书

一种基板结构及其制法，包括：基板本体、设于该基板本体一侧的绝缘部、设于该绝缘部中的导电层、形成于该基板本体中并电性连接该导电层的导电穿孔、以及形成于该基板本体另一侧并电性连接该导电穿孔的金属层，以通过该基板本体的设计而强化该基板结构的强度。

技术领域

本发明有关一种半导体结构，尤指一种基板结构及其制法。

背景技术

随着电子产业技术不断创新，以及电子封装产品趋向轻薄、高效能、高密度分布等方向发展，使封装型式已由平面演变成三维堆叠，进而使三维积体电路(3D integratedcircuits,3D ICs)成为现今封装技术的主要趋势。

现有三维积体电路式半导体封装件将一半导体晶片通过多个焊锡凸块设于一硅中介板(Through Silicon interposer，简称TSI)上，其中，该硅中介板具有多个导电硅穿孔(Through-silicon via，简称TSV)及电性连接该多个导电硅穿孔与该多个焊锡凸块的线路重布层(Redistribution layer，简称RDL)，且该硅中介板通过该多个导电硅穿孔与多个导电元件结合至一封装基板上，再以底胶包覆该多个导电元件与该多个焊锡凸块，并以封装胶体包覆该半导体晶片与该硅中介板。

图1A至图1C为现有如晶圆状(Wafer type)硅中介板的基板结构1的半成品加工方法的剖视示意图。

如图1A所示，提供一硅板体11，其上形成有一线路层110及氧化层12，并透过黏着层100结合至一玻璃载板10上。

如图1B所示，接着移除该硅板体11。

如图1C所示，形成一绝缘层13于该氧化层12与该线路层110上，再形成一金属层14于该绝缘层13上，以及形成导电穿孔140于该绝缘层13中，使该金属层14通过该导电穿孔140电性连接该线路层110，再形成焊锡凸块15于该金属层14上，使该基板结构1通过该多个焊锡凸块15结合其它电子装置(图略)。

然而，现有基板结构1中，因其结构强度不佳，而容易在生产过程中产生破裂的问题。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明提供一种基板结构及其制法，以通过该基板本体的设计而强化该基板结构的强度。

本发明的基板结构包括：基板本体，其具有相对的第一表面与第二表面；绝缘部，其设于该基板本体的第一表面上；导电层，其设于该绝缘部中；导电穿孔，其形成于该基板本体中并连通该第一表面与第二表面且延伸至该导电层，以令该导电穿孔电性连接该导电层；以及金属层，其形成于该基板本体的第二表面上以电性连接该导电穿孔。

本发明还提供一种基板结构的制法，其包括：提供一硅基板，该硅基板包含一具有相对的第一表面与第二表面的基板本体、设于该第一表面上的绝缘部及设于该绝缘部中的导电层；于该基板本体的第二表面形成穿孔，其中，该穿孔连通该第一表面与第二表面并延伸至该导电层，以令该导电层外露于该穿孔；以及形成金属层于该基板本体的第二表面上，且形成导电穿孔于该穿孔中，以令该金属层通过该导电穿孔电性连接该导电层。

前述的基板结构及其制法中，该绝缘部包含结合于该第一表面上的第一绝缘层、设于该第一绝缘层上的第二绝缘层与设于该第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，该导电层设于该第一绝缘层上而位于该第二绝缘层与第三绝缘层中，且该导电层外露于该第三绝缘层。

前述的基板结构及其制法中，该基板本体的第二表面上还形成有开口，其中，该开口可连通该第一表面与第二表面，以令该绝缘部外露于该开口。

前述的基板结构及其制法中，还包括于形成该穿孔之前，将该绝缘部结合至一承载件上。

前述的基板结构及其制法中，还包括形成导电元件于该金属层上。