[发明专利]半导体装置

说明书

提供能够检查中空构造的空间的内压的变化的半导体装置。半导体装置（1）由在内部具有空间的中空类型的封装件构成，在半导体装置（1）的表面具备能够检查内部空间的状态的压力量度（2）。压力量度（2）由以直角相交的多个直线构成，因此通过测定交点间的尺寸变化，能够确认内压有无变化。

技术领域

本发明涉及具有中空构造并在其内部搭载半导体元件的半导体装置。

背景技术

在图11示出现有类型的具有中空构造的半导体装置的截面图。在现有类型的中空构造的半导体装置11中，在其表面形成有期望的电气电路的半导体元件12，配置在引线框的一部分即岛部（island）16。而且，半导体元件12和外部端子14经由金线13电连接。盖材料15由金属构成，以覆盖半导体元件12及金线13的方式设置在引线框上。

在使这样的封装件的内部空间例如成为真空的情况下，采用真空室内利用盖材料15来密封半导体装置的方法。另外，在对封装件的内部空间进行加压的情况下，采用在加压室内利用盖材料15来密封半导体装置的方法。因此不能知晓密封并完成的半导体装置的内部空间的真空度或加压状况等。少有注意到内部空间的状态的变化，例如，因内部空间从真空状态变为大气压状态而失去半导体装置的本来的功能或性能以后才知晓内部空间的状态的变化，成为对半导体装置的故障的对应晚了。

【现有技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本特开2005－223295号公报。

发明内容

【发明要解决的课题】

如上述那样使内部空间成为真空的半导体装置的情况下，焊接时的排气会使真空度恶化。特别是在高真空的半导体装置中，存在于封装件内配置称为吸气剂的、吸附封装件内部的气体的吸附材料的情况，但是来自碳氢化合物等有机物的排气不能由吸附材料吸附。进而若发生排气，则盖材料、引线框的金属也会吸收此排气。因此由于时间的经过所吸收的排气从金属再次向内部空间释放，由此真空度也会恶化。

另外，在对内部空间进行加压的封装件中在盖材料为有机材料等的情况下，随着时间的经过，加压气体成分会渗透到有机材料内部而压力降低。即便盖材料使用金属，如果使用粘接剂也会成为同样的结果。

即，即便在对内部空间进行减压、加压的任一种情况下，由于时间的经过，其压力发生变化，但是在具有内部空间的中空类型的半导体装置中没有检测此变化的方法，因此无法理解内部空间的状态。

本发明是鉴于上述不良而成的发明，提供能够容易确认内压的变化的中空构造封装件。

【用于解决课题的方案】

为了解决上述课题，在本发明中采用了以下的方案。

首先，将半导体元件搭载于中空构造的内部的半导体装置，设为以下述为特征的半导体装置，即在所述半导体装置的表面设置测定由于所述中空构造的内压变化而产生的形状应变的压力量度（measure）。

另外，设为以下述为特征的半导体装置，即所述压力量度由正交的多个直线或曲线构成。

另外，设为以下述为特征的半导体装置，即所述压力量度设置在所述半导体装置的上面或侧面。

另外，设为以下述为特征的半导体装置，即第1面的厚度比其他面薄。

进而，设为以下述为特征的半导体装置，即所述压力量度具备第1压力量度及第2压力量度。

【发明效果】

如以上那样，在具有内部空间的中空类型的半导体装置中，在半导体装置表面设置压力量度，通过检查该压力量度，能够以非破坏方式知晓内部空间的状态。

附图说明