[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有器件结构，所述器件结构的顶部表面具有掩膜结构，所述基底、器件结构和掩膜结构上具有初始第一介质层，所述基底包括：第一区和第二区，所述器件结构包括第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，所述第一伪栅极结构位于所述第一区内，所述第二伪栅极结构位于所述第二区内，所述第一伪栅极结构沿沟道长度方向的尺寸小于第二伪栅极结构沿沟道长度方向的尺寸，所述掩膜结构包括第一掩膜层和第二掩膜层，所述第一掩膜层位于所述第一伪栅极结构的顶部表面，所述第二掩膜层位于所述第二伪栅极结构的顶部表面，且所述第一掩膜层厚度较第二掩膜层厚度薄；

对所述初始第一介质层进行平坦化直至暴露出第二伪栅结构顶部的第二掩膜层；

平坦化所述初始第一介质层之后，去除部分初始第一介质层形成第一介质层，所述第一介质层的顶部表面低于所述器件结构的顶部表面；

在形成第一介质层之后，去除所述掩膜结构；

在去除所述掩膜结构之后，在所述第一介质层表面和器件结构的顶部表面形成初始第二介质层，所述初始第二介质层的密度大于初始第一介质层的密度；

平坦化所述初始第二介质层直至暴露出器件结构顶部表面，形成第二介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除部分初始第一介质层形成第一介质层之前，还包括：对所述初始第一介质层进行平坦化直至暴露出第二伪栅极结构的顶部表面。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一介质层的材料包括：氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一介质层的形成工艺包括：流体化学气相沉积工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分初始第一介质层形成第一介质层的工艺包括：SiCoNi工艺；所述SiCoNi工艺的参数包括：刻蚀气体包括：NH₃，NF₃和He，其中，NH₃的流量为：300标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，NF₃的流量为：10标准毫升/分钟～60标准毫升/分钟，He的流量为：200标准毫升/分钟～600标准毫升/分钟，压力为：2毫托～5毫托，功率为：5瓦～30瓦。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层顶部表面到所述器件结构顶部表面的距离为：100埃～200埃。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分初始第一介质层形成第一介质层的过程中，所述初始第一介质层的去除量为：5纳米～30纳米。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层和第二掩膜层的材料包括：氮化硅。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述掩膜结构的工艺包括：干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的工艺参数包括：刻蚀气体为：CH₂F₂、CH₃F、O₂，CH₂F₂的流量为：10标准毫升/分钟～100标准毫升/分钟，CH₃F的流量为：30标准毫升/分钟～200标准毫升/分钟，O₂的流量为：20标准毫升/分钟～300标准毫升/分钟，压力：2毫托～100毫托，功率：100瓦～1000瓦。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第二介质层的材料包括：氧化硅。