[发明专利]半导体装置以及电力变换装置有效

专利信息
申请号: 201680091343.0 申请日: 2016-12-08
公开(公告)号: CN110036476B 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 田中贡;石山祐介;白尾明稔 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/12;H01L25/18
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 以及 电力 变换
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具备:

导电层,其配置于绝缘基板之上;

第1半导体元件以及第2半导体元件,它们彼此隔开间隙而接合于所述导电层的与所述绝缘基板相反侧的面;

电极部件,其横跨所述间隙而接合于所述第1半导体元件的与所述导电层相反侧的面以及所述第2半导体元件的与所述导电层相反侧的面;以及

树脂,其将所述导电层、所述第1半导体元件、所述第2半导体元件以及所述电极部件进行封装,

在所述导电层的与所述绝缘基板相反侧的对应于所述间隙的面,形成有具备沿着所述间隙延伸的槽的凹状图案,

就所述凹状图案的所述槽的两端部分各自而言,朝向端部,所述槽的宽度变宽。

2.一种半导体装置,其具备:

导电层,其配置于绝缘基板之上;

第1半导体元件以及第2半导体元件,它们彼此隔开间隙而接合于所述导电层的与所述绝缘基板相反侧的面;

电极部件,其横跨所述间隙而接合于所述第1半导体元件的与所述导电层相反侧的面以及所述第2半导体元件的与所述导电层相反侧的面;以及

树脂,其将所述导电层、所述第1半导体元件、所述第2半导体元件以及所述电极部件进行封装,

在所述导电层的与所述绝缘基板相反侧的对应于所述间隙的面,形成有具备沿着所述间隙延伸的槽的凹状图案,

从所述凹状图案的所述槽的两端部分各自朝向中间部分,所述槽的深度变浅或者变深。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

所述凹状图案从所述导电层的一条边形成到所述导电层的另一条边为止。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

在俯视观察时,在所述电极部件的所述导电层侧的面沿着所述间隙而形成有槽。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其中,

就所述电极部件的所述槽而言,与底部侧的宽度相比表面侧的宽度大。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其中,

所述第1半导体元件是在上表面以及下表面分别具备主电极的开关元件,

所述第2半导体元件是在上表面以及下表面分别具备主电极的续流二极管。

7.一种电力变换装置,其具备:

主变换电路,其将输入来的电力进行变换而输出;

驱动电路,其将对所述主变换电路进行驱动的驱动信号向所述主变换电路输出;以及

控制电路,其将对所述驱动电路进行控制的控制信号向所述驱动电路输出,

所述主变换电路至少具备1个权利要求1至6中任一项所述的半导体装置。

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