[发明专利]碳化硅外延基板及制造碳化硅半导体装置的方法

说明书

一种碳化硅外延基板，所述碳化硅外延基板包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。所述碳化硅单晶基板具有第一主表面。所述碳化硅层在所述第一主表面上。所述碳化硅层包含在其与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面包括从所述第二主表面的外缘起算3mm以内的外周区域和由所述外周区域包围的中心区域。所述中心区域具有75ppm以下的雾度。

技术领域

本公开涉及碳化硅外延基板以及制造碳化硅半导体装置的方法。本公开要求2015年10月13日提交的日本特开2015-202012号的优先权，并通过引用的方式将其全部公开内容并入本文中。

背景技术

日本特开2013-34007号公报(专利文献1)公开了一种碳化硅外延基板，其特征在于不具有短台阶聚并。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-34007号公报

发明内容

本公开的碳化硅外延基板包含碳化硅单晶基板和碳化硅层。碳化硅单晶基板具有第一主表面。碳化硅层位于第一主表面上。所述碳化硅层包含在其与所述碳化硅单晶基板接触的表面的相反侧的第二主表面。所述第二主表面具有100mm以上的最大直径。所述第二主表面包括从所述第二主表面的外缘起算3mm以内的外周区域和由所述外周区域包围的中心区域。所述中心区域具有75ppm以下的雾度。

附图说明

图1为显示本实施方案的碳化硅外延基板的构造的示意性平面图。

图2为显示本实施方案的碳化硅外延基板的构造的示意性剖视图。

图3为显示载流子浓度的测量位置的示意性平面图。

图4为沿图5中的IV-IV线(左侧)取的示意性剖视图以及沿图6中的IV-IV线(右侧)取的示意性剖视图。

图5为显示浅凹坑的示意性平面图。

图6为显示深凹坑的示意性平面图。

图7为显示浅凹坑(左侧)和深凹坑(右侧)的构造的示意性剖视图。

图8为显示深凹坑的第一实例的构造的示意性平面图。

图9为显示深凹坑的第二实例的构造的示意性平面图。

图10为显示深凹坑的第三实例的构造的示意性平面图。

图11为显示本实施方案的碳化硅外延基板的制造装置的构造的示意性透视侧视图。

图12为显示外延生长期间的条件控制的实例的时序图。

图13为显示外延生长期间的条件控制的详情的时序图。

图14为显示基座板附近的构造的第一实例的示意性平面图。

图15为显示基座板附近的构造的第二实例的示意性剖视图。

图16为显示梯形缺陷的构造的示意性平面图。

图17为沿图16中的XVII-XVII线取的示意性剖视图。

图18为沿图16中的XVIII-XVIII线取的示意性剖视图。

图19为图16中的XIX区域的放大图。

图20为显示三角形缺陷的构造的示意性平面图。

图21为示意性显示本实施方案的碳化硅半导体装置的制造方法的流程图。

图22为显示本实施方案的碳化硅半导体装置的制造方法的第一步骤的示意性剖视图。