[发明专利]半导体制造方法及其相关的半导体制造系统

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

提供第一晶圆和第二晶圆，其中，所述第一晶圆和所述第二晶圆接合在一起；

将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中；

产生超声波；

通过所述超声波传输介质，将所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆并且持续预定的时间段；以及

当所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆时，控制已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆以在所述超声波传输介质中横向移动。

2.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，通过所述超声波传输介质，将所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆并且持续预定的时间段，包括：

通过所述超声波传输介质，将所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆并且持续预定的时间段，以至少减弱已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆的接合强度。

3.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，通过熔融接合、共晶接合或混合接合来接合所述第一晶圆和所述第二晶圆。

4.根据权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：

根据接合面积来确定所述预定的时间段。

5.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，所述超声波的产生包括：

在所述超声波传输介质中产生所述超声波。

6.根据权利要求5所述的半导体制造方法，其中，在所述超声波传输介质中产生所述超声波包括：

在所述超声波传输介质中并且在已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆的下方产生所述超声波。

7.根据权利要求5所述的半导体制造方法，其中，在所述超声波传输介质中产生所述超声波包括：

在所述超声波传输介质中并且在已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆周围产生所述超声波。

8.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，当所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆时，控制已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆以在所述超声波传输介质中横向移动包括：

当所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆时，控制已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆以在所述超声波传输介质中旋转并且横向移动。

9.根据权利要求1所述的半导体制造方法，其中，通过所述超声波传输介质，将所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆并且持续预定的时间段，包括：

通过所述超声波传输介质，将所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆并且持续预定的时间段，以清洁已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆。

10.一种半导体制造方法，包括：

接合第一晶圆和第二晶圆；

确定已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆的接合结果；以及

根据所述接合结果，确定是否通过超声波来脱粘已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆；

当确定通过所述超声波来脱粘已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆时，将已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆浸没在超声波传输介质中；

产生超声波；

通过所述超声波传输介质，将所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆并且持续预定的时间段，以脱粘已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆；以及

当所述超声波传导至已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆时，控制已接合的所述第一晶圆和所述第二晶圆以在所述超声波传输介质中横向移动。

11.根据权利要求10所述的半导体制造方法，其中，通过熔融接合、共晶接合或混合接合来接合所述第一晶圆和所述第二晶圆。

12.根据权利要求10所述的半导体制造方法，还包括：

根据接合面积来确定所述预定的时间段。