[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括存储区，所述存储区包括：

底部通孔(BV)，包括TiN、TaN或它们的组合；

再生层，直接地位于所述底部通孔上，所述再生层仅覆盖所述底部通孔并且所述再生层构造成切掉所述底部通孔的顶面处的不均匀的晶格密度；

底部电极，位于所述再生层上；

磁性隧道结层，位于所述底部电极上，所述底部通孔沿高度方向直接地位于所述磁性隧道结层下方；

顶部电极，位于所述磁性隧道结层上，

其中，所述再生层的材料不同于所述底部通孔的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述再生层的材料不同于所述底部电极的材料，所述底部通孔的所述顶面具有沿横向测量的第一宽度，所述底部电极的顶面具有沿所述横向测量的第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部电极包括TiN、TaN、Ta、Ru或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述再生层包括TiN、TaN、W、Al、Ni、Co、Cu或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述磁性隧道结层的粗糙度小于

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述再生层包括至少的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：邻近所述存储区的逻辑区。

8.一种磁性随机存取存储器结构，包括：

底部通孔(BV)，包括TiN、TaN或它们的组合；

再生层，直接地覆盖并仅覆盖所述底部通孔，所述再生层包括氮化物材料，所述再生层构造成切掉所述底部通孔的顶面处的不均匀的晶格密度；

底部电极，位于所述底部通孔上方；

磁性隧道结层，位于所述底部电极上，所述底部通孔沿高度方向直接地位于所述磁性隧道结层下方；

顶部电极，位于所述磁性隧道结层上，

其中，所述磁性隧道结层的粗糙度小于

9.根据权利要求8所述的磁性随机存取存储器结构，其中，所述再生层介于所述底部通孔和所述底部电极之间。

10.根据权利要求9所述的磁性随机存取存储器结构，其中，所述再生层的材料不同于所述底部通孔的材料。

11.根据权利要求9所述的磁性随机存取存储器结构，其中，所述再生层包括在从至的范围内的厚度。

12.根据权利要求9所述的磁性随机存取存储器结构，其中，所述再生层包括TiN、TaN、W、Al、Ni、Co或Cu。

13.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：

通过第一沉积形成底部通孔(BV)；

在所述底部通孔的顶面上执行化学机械抛光(CMP)；

通过第二沉积在所述底部通孔上形成再生层；以及

在所述再生层上方形成磁性隧道结层，所述底部通孔沿高度方向直接地位于所述磁性隧道结层下方；以及

通过掩模层图案化所述磁性隧道结层和所述再生层；

其中，所述第一沉积包括TiN或TaN化学气相沉积操作，从而，所述底部通孔的所述顶面包括由不均匀的晶格密度引起的凸起的顶面，

其中，所述再生层的厚度在从至的范围内。

14.根据权利要求13所述的用于制造半导体结构的方法，其中，形成所述再生层包括执行原子层沉积(ALD)操作。

15.根据权利要求13所述的用于制造半导体结构的方法，其中，形成所述再生层包括执行化学气相沉积(CVD)操作。