[发明专利]一种集成纳米电纺丝微流控芯片制备方法

权利要求书

1.一种集成纳米电纺丝微流控芯片制备方法，其特征在于：该方法的具体步骤如下：

(1)基体选定后，将基体在匀胶仪上涂布一层光刻胶，并将其置于60～100°热板上烘烤10～40分钟，制成基板；

(2)将涂有光刻胶的基板置于光刻机内，基板表面覆盖具有图型的掩膜，在紫外光下进行曝光，将图案转移到光刻胶上，形成聚合区域和未聚合区域；

(3)将涂有光刻胶的基板置于接通高压电源地线的铝块之上，注射器针头尖端磨平并接通高压电源的正极；采用注射泵推动注射器，使注射器中的高分子溶液匀速输出到注射器针头，在高压电场的作用下在基板的光刻胶层表面形成纳米电纺丝；

(4)将带有电纺丝的基板置于50～90度烘箱内烘烤1～20分钟，未聚合区域的光刻胶层热熔，体积增大，同时在电纺丝毛细作用下，包裹住电纺丝；

(5)取出基板，在曝光机内进行曝光，使未聚合区域的光刻胶层完全聚合，以便制成区域化的电纺丝；

(6)将区域化电纺丝基板，浸泡到0.5％～2％的硅烷化试剂中，10～60分钟，用氮气吹干，用氧等离子体处理0.5～5分钟，备用；

(7)采用软光刻方法制备集成有微流控通道的微流控芯片，并采用氧等离子体处理1分钟，备用；

(8)将氧等离子体处理后的区域化的电纺丝基板和微流控芯片贴合在一起，并去除里面的气泡；

(9)将其放在烘箱内，60℃～90℃，0.5～2小时，使两者不可逆的键和在一起。

2.按照权利要求1所述集成纳米电纺丝微流控芯片制备方法，其特征在于：所述集成纳米电纺丝微流控芯片制备方法还满足下述要求之一或其组合：

其一，基板材料具体为玻璃或高分子聚合物；

其二，光刻胶为一种环氧型光刻胶；

其三，步骤(1)基体选定后，将基体在匀胶仪上涂布一层光刻胶，并置于80～90℃热板上烘烤15～25分钟，制成基板；

其四，步骤(2)的紫外曝光的条件为：曝光强度100～500mW/cm2，曝光时间为10～200s；

其五，步骤(4)中的烘烤温度为80～90℃，烘烤时间为2分钟；

其六，纳米电纺丝为无机材料或高分子材料；

其七，步骤(6)中采用的硅烷化试剂为氨基丙基三乙氧基甲硅烷；对光刻胶进行修饰，使其用等离子处理后能够与聚二甲基硅氧烷微流控芯片键合为一体。

3.按照权利要求2所述集成纳米电纺丝微流控芯片制备方法，其特征在于：所述集成纳米电纺丝微流控芯片制备方法中，所述纳米电纺丝的具体材料是下述几种之一：合成有机高分子材料、天然高分子材料、掺杂与高聚物后可形成电纺丝的无机材料。