[发明专利]封装结构、叠层封装器件及其形成方法有效
申请号: | 201611024524.X | 申请日: | 2016-11-17 |
公开(公告)号: | CN107452693B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 杨天中;苏安治;陈宪伟;王若梅;陈威宇 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/522 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
第一晶粒;
重布线层结构,电性连接至所述第一晶粒,其中所述第一晶粒位于所述重布线层结构的第一侧上;
多个凸点下金属接垫,电性连接至所述重布线层结构;
多个接点,电性连接至所述多个凸点下金属接垫;以及
分隔件,位于所述重布线层结构上方且环绕所述接点,其中所述分隔件为环状,所述多个接点以及所述分隔件位于所述重布线层结构的第二侧上,且所述第一侧与所述第二侧相对。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述分隔件包括金属、聚合物或其组合。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,从最外面凸点下金属接垫至所述分隔件的内边界的距离为“d”,所述分隔件的宽度为“W”,且d与W的比率为1:1至1:10。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,从最外面凸点下金属接垫至所述分隔件的内边界的距离为“d”,所述分隔件的高度为“H”,且d与H的比率为1:1至1:10。
5.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,从最外面凸点下金属接垫至所述分隔件的内边界的距离为“d”,从所述封装结构的边缘至所述分隔件的外边界的距离为“D”,且d与D的比率为1:0.1至1:5。
6.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述分隔件环绕最外面接点。
7.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述封装结构的边缘具有阶梯状轮廓。
8.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述分隔件处于浮动电位。
9.一种叠层封装器件,其特征在于,包括:
第一封装结构,具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧,且包括:
第一晶粒;
重布线层结构,电性连接至所述第一晶粒;
多个接点,电性连接至所述重布线层结构且由所述第一侧裸露出;以及
分隔件,位于所述第一封装结构的所述第一侧上,且位于所述接点侧边,其中所述分隔件为环状;
第二封装结构,位于所述第一封装结构的所述第二侧上方;以及
电磁干扰层,覆盖所述第二封装结构的顶面以及侧面,且电性连接至所述第一封装结构的所述重布线层结构。
10.根据权利要求9所述的叠层封装器件,其特征在于,所述分隔件包括金属、聚合物或其组合。
11.根据权利要求9所述的叠层封装器件,其特征在于,还包括位于所述重布线层结构的顶面的多个凸点下金属接垫,且所述多个接点连接至所述多个凸点下金属接垫。
12.根据权利要求11所述的叠层封装器件,其特征在于,从最外面凸点下金属接垫至所述分隔件的内边界的距离为“d”,所述分隔件的宽度为“W”,且d与W的比率为1:1至1:10。
13.根据权利要求11所述的叠层封装器件,其特征在于,从最外面凸点下金属接垫至所述分隔件的内边界的距离为“d”,所述分隔件的高度为“H”,且d与H的比率为1:1至1:10。
14.根据权利要求11所述的叠层封装器件,其特征在于,从最外面凸点下金属接垫至所述分隔件的内边界的距离为“d”,从所述第一封装结构的边缘至所述分隔件的外边界的距离为“D”,且d与D的比率为1:0.1至1:5。
15.根据权利要求9所述的叠层封装器件,其特征在于,所述分隔件的外边界对齐于所述第一封装结构的边缘。
16.根据权利要求9所述的叠层封装器件,其特征在于,所述第一封装结构的边缘具有阶梯状轮廓。
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