[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置，包括扫描电路模块，所述扫描电路模块包括：接收部，所述接收部被配置为响应于第二控制信号而从设置在第一芯片中的另一个电路单元的输出信号和设置在第二芯片中的电路单元的输出信号中的一个来产生输出信号；以及输出部，所述输出部被配置为响应于第一控制信号而将所述接收部的输出信号输出至设置在所述第一芯片中的又一个电路单元和设置在第三芯片中的电路单元中的一个，其中，所述扫描电路模块被设置在所述第一芯片中。

本申请是申请日为2012年03月08日、申请号为201210059266.4、发明名称为“半导体装置”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年10月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2011-0106159的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉以及一种半导体装置，更具体而言，涉以及一种使用穿通通孔的3D(三维)半导体装置。

背景技术

为了改善半导体装置的集成度，已开发出3D(三维)半导体装置。3D半导体装置通常包括层叠并封装的多个芯片以增加集成度。在3D半导体装置中，因为垂直地层叠了两个或多个芯片，所以可以在相同的面积上实现最大的集成度。

可以应用各种方法来实现3D半导体装置。方法之一是，层叠具有相同结构的多个芯片，然后使用诸如金属线的导线将多个芯片彼此连接，使得所述多个芯片如同一个半导体装置来操作。

近年来，在本领域中已公开了TSV(穿通硅通孔)式半导体装置，其中穿通硅通孔被形成为贯穿多个层叠的芯片，使得所有的芯片彼此电连接。在TSV式半导体装置中，因为穿通硅通孔垂直地贯穿各个芯片以将各个芯片彼此电连接，所以相比于经由外围引线将各个芯片彼此连接的半导体装置而言可以有效地降低封装的面积。

TSV是通过在由电介质物质所定义的通孔洞中填充导电材料而形成的。因为半导体装置仅可在TSV正确形成时正常操作，所以在制造过程中要执行扫描测试以判断TSV是否正确地连接多个芯片。

图1是示出半导体装置的现有扫描测试方法的图。在图1中，半导体装置包括第一至第三芯片CHIP1、CHIP2和CHIP3。第一至第三芯片CHIP1、CHIP2和CHIP3经由第一TSV TSV1至第八TSV TSV8彼此电连接。第一芯片CHIP1和第二芯片CHIP2经由第一TSV TSV1至第四TSV TSV4彼此连接，而第二芯片CHIP2和第三芯片CHIP3经由第五TSV TSV5至第八TSV TSV8彼此连接。TSV的测试如下所述来执行。首先，将测试数据TDATA施加至第一TSV TSV1。测试数据TDATA可以是预定的电压或电流。施加给第一TSV TSV1的测试数据TDATA顺序地经由第一TSV TSV1至第八TSV TSV8传送，如图1所示，最终，可以经由第四TSV TSV4输出测试输出信号TOUT。因此，通过测量经由第四TSV TSV4输出的输出信号的电流或电压，可以判断半导体装置中所包括的TSV是否正确地彼此连接。

发明内容

本文说明一种能够以多种方式形成扫描测试路径的半导体装置。

在本发明的一个实施例中，一种半导体装置包括：第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔将第一芯片和第二芯片彼此电连接；第一电路单元，所述第一电路单元被设置在所述第一芯片中，被配置为接收测试数据，且与所述第一通孔连接；第二电路单元，所述第二电路单元被设置在所述第一芯片中，且与所述第二通孔和所述第一电路单元连接；第三电路单元，所述第三电路单元设置在所述第二芯片中，且与所述第一通孔连接，其中，所述第一电路单元响应于第一控制信号而将所述第一电路单元的输出信号输出至所述第一通孔和所述第二电路单元中的一个。