[发明专利]晶片封装体的制造方法

说明书

本发明公开了一种晶片封装体的制造方法，其包含提供一第一晶圆以及一热扩散膜，将热扩散膜的其中一面贴附在该第一晶圆的其中一面；在该热扩散膜上开设多个缺口；提供一第二晶圆，将该热扩散膜的另一面贴附在该第二晶圆的其中一面；将该第二晶圆裁切形成多个晶片，并且同时将该热扩散膜裁切形成贴附在各该晶片的多个热扩散层；提供一基板并且将该晶片设置在该基板；及提供对应该多个缺口的多个导线，并且将各该导线穿过对应的各该缺口连接于该基板与该晶片之间。依此制造方法制造的晶片封装体可使晶片之发热能够均匀地扩散至整个晶片封装体。

技术领域

本发明有关于晶片封装体，特别是具有热扩散层的晶片封装体的制造方法。

背景技术

现有的晶片封装体，例如CPU(中央处理器；Central Processing Unit)或是GPU(图形处理器；Graphics Processing Unit)，其工作时皆会产生大量热能，因此需要在晶片封装体上设置散热装以冷却晶片封装体。一般的散热系统是借由热传导的方式将晶片封装体产生的热能吸收至散热系统内，再借由热对流的方式将热能发散至空气中。为了使晶片封装体与散热系统之间的热传导效率优化，一般散热系统会配置有一平面，并且能够与晶片封装体外表的另一平面贴合，进而通过此接触面进行热传导。

一般而言，晶片并非均匀发热体，而且通常会存在点发热的情况，散热系统与晶片封装体的接触面常是偏离发热点，因此无论如何改良散热系统，皆无法改善晶片封装体与散热系统之间的热传导效率。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种具有热扩散层的晶片封装体的制造方法。

本发明提供一种晶片封装体的制造方法，包含：

a.提供一第一晶圆以及一热扩散膜，并且将该热扩散膜的其中一面贴附在该第一晶圆的其中一面；

b.在该热扩散膜上开设多个缺口；

c.提供一第二晶圆，并且将该热扩散膜的另一面贴附在该第二晶圆的其中一面；

d.将该第二晶圆裁切形成多个晶片，并且同时将该热扩散膜裁切形成贴附在各该晶片的多个热扩散层；

e.提供一基板并且将该晶片设置在该基板；及

f.提供对应该多个缺口的多个导线，并且将各该导线穿过对应的各该缺口连接于该基板与该晶片之间。

作为优选技术方案，在步骤f之后还包含步骤g：提供一封装结构，并且将该封装结构包覆该晶片。

作为优选技术方案，该热扩散膜之内包含有导热材料。

作为优选技术方案，该导热材料为片状石墨烯。

作为优选技术方案，在步骤c中，在该热扩散膜上布设黏着剂并且贴附该第二晶圆。

作为优选技术方案，在步骤c与步骤d之间更包含步骤h：将该第一晶圆自该热扩散膜上移除。

作为优选技术方案，在步骤d中，同时将该第一晶圆裁切形成贴附在各该热扩散层的多个保护层。

依本发明所制造的晶片封装体，其晶片上设设置有片状石墨烯构成的热扩散层，因此能够避免热能集中而降低晶片封装体对外的热传导效率。其制造方法借由在裁切第二晶圆形成晶片之前将热扩散膜贴附至第二晶圆，因此不需要将各热扩散层分别贴附至各晶片。

附图说明

图1是本发明第一实施例的晶片封装体的示意图。

图2是本发明第二实施例的晶片封装体的示意图。

图3是本发明的晶片封装体的制造方法的流程图。

图4至图7 是本发明的晶片封装体的制造方法的步骤示意图。