[发明专利]封装堆迭结构

说明书

一种封装堆迭结构，包括：承载结构、以多个支撑件设于该承载结构上的封装基板、形成于该封装基板边缘的止挡凸部、以及设于该封装基板与该承载结构之间的封装层，且该止挡凸部较该封装基板的电性接触垫邻近该封装基板的边缘，以当该封装层形成于该封装基板与该承载结构之间时，该封装层的封装胶材只会溢流至该止挡凸部外，并不会越过该止挡凸部而流到该电性接触垫上，以于去除残留的封装胶材时避免损坏该电性接触垫。

技术领域

本发明有关一种封装结构，尤指一种可防止溢胶的堆迭封装结构。

背景技术

随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂堆迭多个封装结构以形成封装堆迭结构(Package on Package，POP)，此种封装方式能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：记忆体、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，通过堆迭设计达到系统的整合，适合应用于各种轻薄型电子产品。

图1为现有封装堆迭结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆迭结构1由第一封装基板11及第二封装基板12堆迭而成。该第一封装基板11上侧具有多个电性接触垫110及外露这些电性接触垫110的防焊层112，并设有电性连接该第一封装基板11的第一半导体元件10。该第二封装基板12上侧设有电性连接该第二封装基板12的第二半导体元件15，而下侧具有植球垫122以供结合焊球17。

此外，该第一封装基板11于其下侧通过焊锡球13迭设且电性连接于该第二封装基板12上，并于该第一封装基板11下侧与该第二封装基板12上侧之间形成封装胶体14，以包覆该第二半导体元件15与焊锡球13。

然而，现有封装堆迭结构1中，于进行形成该封装胶体14的模压(molding)制程时，若合模压力过小，则该封装胶体14的部分封装胶材14’会溢流于该第一封装基板11的电性接触垫110上而残留于其上，如图1’所示，故需以激光或蚀刻方式去除该封装胶材14’，却因而容易一并移除该电性接触垫110及其周围的防焊层112，造成该第一封装基板11的信赖性不佳。

此外，以激光或蚀刻方式去除该封装胶材14’时，并无法将该封装胶材14’完全去除，因而造成后续组装该第一半导体元件10的制程中，该第一半导体元件10无法有效接置于该电性接触垫110上，且无法有效与该电性接触垫110电性连接。

又，于进行形成该封装胶体14的模压制程时，若合模压力过大，则该焊锡球13于回焊后的体积及高度的公差大，不仅接点容易产生缺陷，导致电性连接品质不良，而且该焊锡球13所排列成的栅状阵列(grid array)容易产生共面性(coplanarity)不良，导致接点应力(stress)不平衡而容易造成该第一与第二封装基板11,12之间呈倾斜接置，甚至产生接点偏移的问题。

因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺失，本发明提供一种封装堆迭结构，以于去除残留的封装胶材时避免损坏该电性接触垫。

本发明的封装堆迭结构包括：承载结构；多个支撑件，其设于该承载结构上；封装基板，其具有相对的第一表面及第二表面，该第一表面具有多个电性接触垫，且其以第二表面结合这些支撑件以迭设于该承载结构上；止挡凸部，其形成于该封装基板的第一表面上且较该电性接触垫邻近该封装基板的边缘；以及封装层，其设于该封装基板与该承载结构之间，并包覆这些支撑件。

前述的封装堆迭结构中，该封装基板还具有外露该多个电性接触垫的绝缘保护层，且该绝缘保护层呈阶梯状以作为该止挡凸部。

前述的封装堆迭结构中，该止挡凸部的表面为粗糙面。

前述的封装堆迭结构中，该止挡凸部为拦坝构造，以围绕这些电性接触垫。例如，该拦坝构造的材质为金属材质或绝缘材质。