[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体封装件以及一种制造所述半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括：基板，具有背对的第一表面和第二表面；多个连接构件，设置在基板的第一表面上，每个连接构件包括直接设置在基板的第一表面上的第一连接构件和直接设置在第一连接构件上的第二连接构件；芯片，设置在所述多个连接构件上以通过所述多个连接构件与基板电连接；以及包封构件，设置在基板的第一表面上并包封芯片和所述多个连接构件，其中，在包封构件与第一连接构件之间设置有有机膜，有机膜包裹第一连接构件。该半导体封装件能够防止第一连接构件中的锡在二次回流时的再流动，从而防止由于包封构件中的空洞而导致的短路发生。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，具体地，涉及一种防止芯片凸点短路的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

在现有的半导体封装件中，芯片通过凸点与基板连接，同时注塑底充料填充至芯片与基板之间以包裹芯片。

具体地讲，在倒装芯片中，芯片通过凸点与基板连接，实现支撑和电信号传输，而为了减小应力，在芯片与基板间会填充底充料，现在为了提高生产性，很多采用了注塑底充料，即将底充料和塑封料的材料合二为一，在完成塑封的同时完成底部填充。例如，图1是示出根据现有技术的半导体封装件的结构的示意性剖视图。参照图1，半导体封装件100包括：基板110；连接构件120，直接设置在基板110上；芯片130，设置在连接构件120上；包封构件140，用于包封芯片130和连接构件120；焊球160，附着到基板110的与其上设置有连接构件120和芯片130的表面相对的表面。参照图1，连接构件120包括直接设置在基板110上的凸点121和直接设置在凸点121上的铜柱122。

随着芯片互连密度的提高，凸点121间的间距越来越小，而塑封底充料由于要兼顾底部填充和塑封的功能，流动性存在瓶颈，在底部填充过程中，容易在凸点121间形成空洞150，凸点121在经过二次回流时，由于毛细效应，非常容易流入微小空洞150中，这样两个相邻的凸点121即形成了短路，如图2所示。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够防止凸点发生短路的半导体封装件以及一种制造所述半导体封装件的方法。

本发明提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括：基板，具有背对的第一表面和第二表面；多个连接构件，设置在基板的第一表面上，所述多个连接构件中的每个包括直接设置在基板的第一表面上的第一连接构件和直接设置在第一连接构件上的第二连接构件；芯片，设置在所述多个连接构件上以通过所述多个连接构件与基板电连接；以及包封构件，设置在基板的第一表面上并包封芯片和所述多个连接构件，其中，在包封构件与第一连接构件之间设置有有机膜，有机膜包裹第一连接构件。

芯片的功能区可与所述多个连接构件连接。

有机膜的厚度可大于1微米。

第一连接构件可为由锡、锡银合金或锡银铜合金形成的凸点，第二连接构件可为铜柱。

包封构件可由注塑底充料形成并填充在芯片和基板之间以包封所述多个连接构件。

半导体封装件还可包括设置在基板的第二表面上的外部连接端子。

本发明提供了一种制造半导体封装件的方法，所述方法可包括下述步骤：准备基板和附带有多个连接构件的芯片，所述多个连接构件中的每个包括第一连接构件和第二连接构件；将附带有多个连接构件的芯片连接到基板；以及形成包封芯片和所述多个连接构件的包封构件，其中，所述连接步骤包括下述步骤：在第一连接构件的表面上覆盖助焊剂；将覆盖有助焊剂的芯片贴装到基板表面上；以及回流去除助焊剂以在第一连接构件上形成有机膜，其中，有机膜设置在包封构件与第一连接构件之间并且包裹第一连接构件。

芯片的功能区可与所述多个连接构件连接。

有机膜的厚度可大于1微米。