[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
申请号: | 201610136084.0 | 申请日: | 2016-03-10 |
公开(公告)号: | CN105633047B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 杜茂华 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 连接构件 半导体封装件 第一表面 基板 包封构件 直接设置 有机膜 芯片 第二表面 基板电 短路 包封 背对 制造 空洞 流动 | ||
1.一种半导体封装件,其特征在于,所述半导体封装件包括:
基板,具有背对的第一表面和第二表面;
多个连接构件,设置在基板的第一表面上,每个连接构件包括:
第一连接构件,直接设置在基板的第一表面上;
第二连接构件,直接设置在第一连接构件上;
芯片,设置在所述多个连接构件上以通过所述多个连接构件与基板电连接;以及
包封构件,设置在基板的第一表面上并包封芯片和所述多个连接构件,
其中,在包封构件与第一连接构件之间设置有有机膜,有机膜包裹第一连接构件,
其中,包封构件由注塑底充料形成并填充在芯片和基板之间以包封所述多个连接构件。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,芯片的功能区与所述多个连接构件连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,有机膜的厚度大于1微米。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,第一连接构件为由锡、锡银合金或锡银铜合金形成的凸点,第二连接构件为铜柱。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述半导体封装件还包括设置在基板的第二表面上的外部连接端子。
6.一种制造半导体封装件的方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:
准备基板和附带有多个连接构件的芯片,每个连接构件包括第一连接构件和第二连接构件;
将附带有多个连接构件的芯片连接到基板,所述连接步骤包括下述步骤:
在第一连接构件的表面上覆盖助焊剂;
将覆盖有助焊剂的芯片贴装到基板表面上;以及
回流去除助焊剂以在第一连接构件上形成有机膜,
形成包封芯片和所述多个连接构件的包封构件,
其中,有机膜设置在包封构件与第一连接构件之间并且包裹第一连接构件,
其中,包封构件由注塑底充料形成并填充在芯片和基板之间以包封所述多个连接构件。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,芯片的功能区与所述多个连接构件连接。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,有机膜的厚度大于1微米。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,第一连接构件为由锡、锡银合金或锡银铜合金形成的凸点,第二连接构件为铜柱。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在基板的与其上设置有芯片的表面相对的表面上设置外部连接端子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610136084.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。