[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底，该基底具有一第一区域以及一第二区域；

形成一第一鳍状结构于该第一区域以及一第二鳍状结构于该第二区域；

形成一第一凸块于该第一区域以及一第二凸块于该第二区域；

形成一第一掺杂层于该第一鳍状结构及该第一凸块上；

形成一第一衬垫层于该第一掺杂层上；

形成一第二掺杂层于该第二鳍状结构及该第二凸块上；

形成一第二衬垫层于该第二掺杂层及该第一衬垫层上；

形成该第二衬垫层后，进行一退火制作工艺；以及

形成一第一栅极结构覆盖该第一鳍状结构及该第一凸块，并形成一第二栅极结构覆盖该第二鳍状结构及该第二凸块。

2.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成该第一掺杂层以及该第一衬垫层于该第一区域及该第二区域；

去除该第二区域的该第一衬垫层及该第一掺杂层；

形成该第二掺杂层于该第一区域及该第二区域；

去除该第一区域的该第二掺杂层；

形成该第二衬垫层于该第一区域及该第二区域；以及

形成一浅沟隔离环绕该第一鳍状结构及该第二鳍状结构。

3.如权利要求2所述的方法，其中各该第一鳍状结构及该第二鳍状结构包含一上半部以及一下半部，该方法包含：

形成一绝缘层于该第二衬垫层上；以及

去除部分该绝缘层、环绕该第一鳍状结构的该上半部的该第一衬垫层及该第一掺杂层以及环绕该第二鳍状结构的该上半部的该第二衬垫层及该第二掺杂层以形成该浅沟隔离环绕该第一鳍状结构的该下半部及该第二鳍状结构的该下半部。

4.如权利要求1所述的方法，另包含：

形成该第一掺杂层以及该第一衬垫层于该第一鳍状结构、该第一凸块、该第二凸块以及该第二鳍状结构；

去除该第二凸块及该第二鳍状结构上的该第一衬垫层及该第一掺杂层；

形成该第二掺杂层于该第二鳍状结构、该第二凸块以及该第一衬垫层上；

去除该第一衬垫层上的该第二掺杂层；

形成该第二衬垫层于该第二掺杂层及该第一衬垫层上；以及

形成一浅沟隔离环绕该第一鳍状结构及该第二鳍状结构。

5.如权利要求4所述的方法，其中各该第一鳍状结构及该第二鳍状结构包含一上半部以及一下半部，该方法包含：

形成一绝缘层于该第二衬垫层上；以及

去除部分该绝缘层、环绕该第一鳍状结构的该上半部的该第一衬垫层及该第一掺杂层以及环绕该第二鳍状结构的该上半部的该第二衬垫层及该第二掺杂层以形成该浅沟隔离环绕该第一鳍状结构的该下半部及该第二鳍状结构的该下半部。

6.一种半导体元件，包含：

基底，该基底具有一第一区域以及一第二区域；

第一鳍状结构，设于该第一区域上以及一第二鳍状结构设于该第二区域上；

凸块，设于该第一区域及该第二区域之间；

第一掺杂层和第一衬垫层，设于该第一鳍状结构及该凸块上；

第二掺杂层，设于该第二鳍状结构及该凸块上，其中该第二掺杂层接触该第一掺杂层；

第二衬垫层，设置于该第二掺杂层、该凸块以及该第一衬垫层上，其中该第一衬垫层位于该第二衬垫层与该第一掺杂层之间；以及

栅极结构，覆盖该凸块。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中各该第一鳍状结构及该第二鳍状结构包含一上半部以及一下半部，该第一掺杂层环绕该第一鳍状结构的该下半部且该第二掺杂层环绕该第二鳍状结构的该下半部。

8.如权利要求7所述的半导体元件，另包含一浅沟隔离，环绕该第一鳍状结构及该第二鳍状结构，其中该浅沟隔离的上表面切齐该第一鳍状结构及该第二鳍状结构的该下半部的上表面。

9.如权利要求6所述的半导体元件，其中该凸块的高度介于该第一掺杂层厚度或该第二掺杂层厚度的2倍至20倍。