[实用新型]一种射频芯片及其无源器件的封装结构

权利要求书

1.一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：包括塑封体(4)以及RDL再布线层(5)，所述RDL再布线层(5)设置在塑封体(4)的表面，射频芯片(1)及无源器件(2)塑封在塑封体(4)内。

2.如权利要求1所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：所述RDL再布线层(5)由高分子聚合物(52)和金属化层(54)所构成，高分子聚合物(52)覆盖在整个塑封体(4)的表面，金属化层(54)被包裹在高分子聚合物(52)内，金属化层(54)连接射频芯片(1)及无源器件(2)的端口和外部电路。

3.如权利要求2所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：金属化层(54)包含金属化图层(542)、金属化通孔(544)，以及BGA焊盘(546)，金属化图层(542)之间采用金属化通孔(544)进行连接，距离射频芯片(1)最近的金属化图层(542)通过金属化通孔(544)连接射频芯片(1)的端口，该距离射频芯片(1)最近的金属化图层(542)同时通过金属化通孔(544)连接到其他无源器件(2)的端口，距离高分子聚合物(52)外表面最近的金属化图层(542)通过金属化通孔(544)连接BGA焊盘(546)，BGA焊盘(546)分布在RDL再布线层(5)的表层，所述BGA焊盘(546)与外围电路通过BGA焊球互连。

4.如权利要求3所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：所述金属化图层(542)为2～3层。

5.如权利要求3所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：每层金属化图层(542)厚度为5～8μm。

6.如权利要求3所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：所述金属化通孔(544)高度为10～15μm。

7.如权利要求2所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：射频芯片(1)的中间连接射频信号线(8)，射频芯片(1)的两端连接接地面(9)。

8.如权利要求7所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：射频信号线(8)的外端连接射频焊盘(80)，接地面(9)的外端连接接地焊盘(90)，射频信号线(8)和射频焊盘(80)构成一组金属化层，接地面(9)和接地焊盘(90)构成一组金属化层。

9.如权利要求8所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：射频焊盘(80)外有射频焊球(82)，接地面(9)外有接地焊球(92)。

10.如权利要求7所述的一种射频芯片及其无源器件的封装结构，其特征在于：射频芯片(1)之间或射频芯片(1)与无源器件(1’)之间通过射频信号线(8)与接地面(9)进行互连。