[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基底，具有第一导电型，且具有被密封环区所围绕的芯片区；

绝缘层，位于所述半导体基底上；

第一密封环结构，埋设于所述绝缘层内且对应于所述密封环区；

隔离结构，形成于所述密封环区的所述半导体基底内并且位于所述第一密封环结构的下方使得所述第一密封环结构形成于所述隔离结构上；以及

至少一开口，断开所述隔离结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

第二密封环结构，埋设于所述绝缘层内，对应于所述密封环区且被所述第一密封环结构所围绕。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封环结构包括围绕所述芯片区的叠置的多个金属层以及电性连接至对应的所述多个金属层的多个介层连接条。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一密封环结构包括围绕所述第二密封环结构的叠置的多个金属层以及电性连接至对应的所述多个金属层的多个介层连接条。

5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封环的宽度大于所述第一密封环的宽度。

6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，更包括：

第一钝化护层以及第二钝化护层，依序覆盖所述第一密封环结构和所述第二密封环结构。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一钝化护层具有开口，露出所述第二密封环结构。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述第二密封环结构包括位于所述第一钝化护层的所述开口内的金属接垫。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体基底的主体包含具有第一导电型的井区。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

多晶硅层，插入在所述隔离结构与该第一密封环结构之间；以及

介电层，插入在所述多晶硅层与所述第一密封环结构之间。

11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述至少一开口断开所述多晶硅层与所述介电层。

12.一种半导体装置，包括：

半导体基底，具有第一导电型，且具有被密封环区所围绕的芯片区；

绝缘层，位于所述半导体基底上；

第一密封环结构，埋设于所述绝缘层内且对应于所述密封环区；

掺杂区，形成于所述半导体基底内，且具有相反于所述第一导电型的第二导电型；

隔离结构，位于所述第一密封环结构的下方；以及

至少一开口，将所述隔离结构断开为不同的部分；

其中，所述掺杂区围绕所述隔离结构。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

多晶硅层，插入在所述隔离结构与该第一密封环结构之间；以及

介电层，插入在所述多晶硅层与所述第一密封环结构之间；

其中，所述至少一开口断开所述多晶硅层与所述介电层。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

深井区，形成于所述半导体基底内且位于所述隔离结构的下方，且具有所述第二导电型；

其中，所述半导体基底的一部分的主体位于所述隔离结构与所述深井区之间且被所述掺杂区围绕。