[发明专利]晶片封装体及其制造方法

说明书

一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻挡件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

技术领域

本发明有关一种晶片封装体及其制造方法。

背景技术

指纹感测装置(finger print sensor)或射频感测装置(RF sensor)需利用平坦的感测面来侦测信号。若感测面不平整，会影响感测装置侦测时的准确度。举例来说，当指头按压于指纹感测装置的感测面时，若感测面不平整，将难以侦测到完整的指纹。

此外，上述的感测装置在制作时，会先于晶圆中形成硅穿孔(Through SiliconVia；TSV)，使焊垫从硅穿孔裸露。接着，会以化学气相沉积法(Chemical VaporDeposition；CVD)在焊垫上与硅穿孔的壁面上形成绝缘层。之后，还需通过图案化制程于焊垫上的绝缘层形成开口。一般而言图案化制程包含曝光、显影与蚀刻制程。在后续制程中，重布线层便可形成在绝缘层上并电性连接绝缘层开口中的焊垫。

然而，化学气相沉积与图案化制程均需耗费大量的制程时间与机台的成本。

发明内容

本发明的一技术态样为一种晶片封装体。

根据本发明一实施方式，一种晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻挡件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。阻隔层具有开口，使重布线层从开口裸露。导电结构位于开口中的重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。

本发明的一技术态样为一种晶片封装体的制造方法。

根据本发明一实施方式，一种晶片封装体的制造方法包含下列步骤。(a)提供晶圆与激光阻挡件，其中晶圆具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面，且焊垫位于第一表面，激光阻挡件位于焊垫上。(b)于晶圆的第一表面暂时接合支撑件。(c)在晶圆的第二表面中形成第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。(d)于晶圆的第二表面上与第一穿孔中形成绝缘层，其中绝缘层具有相对第二表面的第三表面。(e)使用激光贯穿绝缘层与焊垫以形成第二穿孔，其中激光由激光阻挡件阻挡，且激光阻挡件从第二穿孔裸露。(f)于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上电镀重布线层。

在本发明上述实施方式中，由于激光阻挡件位于焊垫上，因此当激光贯穿绝缘层与焊垫时，激光可由激光阻挡件阻挡，并于绝缘层与焊垫中形成裸露激光阻挡件的第二穿孔。待第二穿孔形成后，便可电镀重布线层于绝缘层的第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。其中，第二穿孔的壁面包含焊垫的表面与绝缘层的表面，使得重布线层可电性连接焊垫。本发明的晶片封装体及其制造方法可省略已知化学气相沉积绝缘层与图案化绝缘层的制程，能节省制程的时间与机台的成本。此外，晶片的第一表面未经额外的加工，因此平坦性佳，可提升晶片封装体侦测时的准确度。

附图说明

图1绘示根据本发明一实施方式的晶片封装体的俯视图。

图2绘示图1的晶片封装体沿线段2-2的剖面图。