[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包含：

一晶片，具有一焊垫、及相对的一第一表面与一第二表面，其中该焊垫位于该第一表面上，该第二表面具有一第一穿孔，使该焊垫从该第一穿孔裸露；

一激光阻挡件，位于该焊垫上；

一绝缘层，位于该第二表面上与该第一穿孔中，该绝缘层具有相对该第二表面的一第三表面，该绝缘层与该焊垫共同具有一第二穿孔，使该激光阻挡件从该第二穿孔裸露；

一重布线层，位于该第三表面上、该第二穿孔的一壁面上与该第二穿孔中的该激光阻挡件上；

一阻隔层，位于该第三表面上与该重布线层上，该阻隔层具有一开口，使该重布线层从该开口裸露；以及

一导电结构，位于该开口中的该重布线层上，使该导电结构电性连接该焊垫。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该激光阻挡件的材质包含金。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二穿孔的孔径小于该第一穿孔的孔径。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，具有一空穴，且该空穴位于该阻隔层与该第二穿孔中的该重布线层之间。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二穿孔的该壁面为一粗糙面。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该激光阻挡件具有朝向该重布线层的一第四表面，且该第四表面为一粗糙面。

7.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该绝缘层的该第三表面上的厚度大于该重布线层在该第二穿孔的该壁面上的厚度。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层在该第二穿孔的该壁面上的厚度大于该重布线层在该激光阻挡件上的厚度。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该绝缘层的材质包含环氧树脂。

10.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包含：

(a)提供一晶圆与一激光阻挡件，其中该晶圆具有一焊垫、及相对的一第一表面与一第二表面，该焊垫位于该第一表面，该激光阻挡件位于该焊垫上；

(b)于该晶圆的该第一表面暂时接合一支撑件；

(c)在该晶圆的该第二表面中形成一第一穿孔，使该焊垫从该第一穿孔裸露；

(d)于该晶圆的该第二表面上与该第一穿孔中形成一绝缘层，其中该绝缘层具有相对该第二表面的一第三表面；

(e)使用一激光贯穿该绝缘层与该焊垫以形成一第二穿孔，其中该激光由该激光阻挡件阻挡，且该激光阻挡件从该第二穿孔裸露；

(f)于该绝缘层的该第三表面上、该第二穿孔的一壁面上与该第二穿孔中的该激光阻挡件上电镀一重布线层；

(g)于该绝缘层的该第三表面上与该重布线层上形成一阻隔层；

(h)图案化该阻隔层以形成一开口，使该重布线层从该开口裸露；

(i)于该开口中的该重布线层上形成一导电结构；以及

(j)移除该晶圆的该第一表面上的该支撑件。

11.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含：

切割该晶圆、该绝缘层与该阻隔层，以形成该晶片封装体。

12.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含：

于该晶圆的该焊垫上打一导线；以及

切除部分该导线，使该晶圆的该焊垫上残留另一部分该导线而形成该激光阻挡件。

13.根据权利要求10所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包含：

研磨该晶圆的该第二表面。