[发明专利]一种三维叠层封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种三维叠层封装结构的封装方法，其包括如下工艺步骤：

步骤一、取一载板，采用晶圆级工艺或平板工艺利用溅射或化学镀的方法在该载板上沉积一金属种子层Ⅰ，再依次利用光刻、电镀的方法，在金属种子层Ⅰ的表面形成金属柱Ⅰ，去除剩余的光刻胶；

步骤二、采用包封工艺用包封材料将金属柱Ⅰ进行包封，包封材料固化后，再对包封材料的上表面进行研磨，至露出金属柱Ⅰ的上表面，同时形成包封材料层Ⅰ；

步骤三、采用溅射或化学镀的方式在上述结构的上表面沉积一层金属种子层Ⅱ，再依次利用光刻、电镀的方法，在金属种子层Ⅱ的表面选择性地形成再布线金属层，去除剩余的光刻胶；

步骤四、再次依次利用光刻和电镀的方法，在再布线金属层的表面形成金属柱Ⅱ，去除剩余的光刻胶，并腐蚀去掉再布线金属层以外区域的无效的金属种子层Ⅱ；

步骤五、利用微凸块工艺或打线工艺将芯片与再布线金属层通过连接件连接；

步骤六、再次用包封材料将再布线金属层、金属柱Ⅱ、芯片、连接件、金属引线和金属种子层Ⅱ及其彼此间的空间进行包封，并对包封材料的上表面进行研磨，露出金属柱Ⅱ的上表面，形成包封材料层Ⅱ，完成芯片封装体的封装工艺；

步骤七、通过研磨的方法，完全去除载板和金属种子层Ⅰ，至露出金属柱Ⅰ的表面，形成封装单体结构；

步骤八、切割、裂片上述的封装结构，形成复数颗独立的封装单体，并将这些封装单体依次上下耦合连接，形成三维叠层封装结构。

2.根据权利要求1所述的一种三维叠层封装结构的封装方法，其特征在于：所述金属种子层Ⅰ的厚度为0.01～2微米。