[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体元件，该半导体元件设置于第一导电型的半导体基板上，并具有流过主电流的有源区、以及包围所述有源区的终端结构区；

保护用二极管，该保护用二极管隔着绝缘膜而设置于所述终端结构区上；

1个以上的第二导电型的扩散层，该1个以上的第二导电型的扩散层在所述终端结构区中，选择性地设置于所述半导体基板的与所述绝缘膜相接的一侧的表面层上，并包围所述有源区；以及

表面保护膜，该表面保护膜覆盖所述终端结构区，

利用在从所述有源区侧朝向外侧的方向上由第一导电型半导体层与第二导电型半导体层交替相邻而成的多个二极管，来形成所述保护用二极管，

所述保护用二极管的一端与设于所述半导体元件的外周侧的高电位电极进行电连接，并位于最外周的所述扩散层的外周端的外侧，

所述保护用二极管的另一端与设于所述有源区侧的所述半导体元件的栅极布线进行电连接，

将所述终端结构区分割为：

第一分区，该第一分区配置有所述保护用二极管；

第二分区，该第二分区的宽度比所述第一分区要窄；以及

第三分区，该第三分区具有以从所述第二分区向所述第一分区变宽的方式进行转移而成的宽度，并将所述第一分区和所述第二分区相连结，

所述扩散层具有环状的平面形状，所述环状的平面形状由配置于所述第一分区并沿深度方向与所述保护用二极管相对的第一部分、配置于所述第二分区并位于比所述第一部分更靠近所述半导体基板的外周侧的第二部分、以及配置于所述第三分区的第三部分连接而成，

相对于所述第二分区的表面积的所述第二部分的表面积比相对于所述第一分区的表面积的所述第一部分的表面积要大。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述扩散层的与所述保护用二极管相对的部分与剩余配置的部分互相连结。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

将所述扩散层的与所述保护用二极管相对的部分与剩余配置的部分相连结的部分具有弯曲的平面形状。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述扩散层的与所述保护用二极管相对的部分的宽度比所述扩散层的剩余配置的部分的宽度要宽。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在从所述有源区侧朝向外侧的方向上隔开规定间隔地设有2个以上的所述扩散层，

在所述扩散层的与所述保护用二极管相对的部分上相邻的该扩散层的间隔比在所述扩散层的剩余配置的部分上相邻的该扩散层的间隔要宽。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在从所述有源区侧朝向外侧的方向上隔开规定间隔地设有2个以上的所述扩散层，

在所述半导体基板的被相邻的所述扩散层所夹住的部分的表面上，隔着所述绝缘膜而配置有所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层中的任意一层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管是齐纳二极管。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述保护用二极管由多晶硅所形成。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述表面保护膜由聚酰亚胺类树脂所形成。

10.如权利要求1至9的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是绝缘栅型双极晶体管或绝缘栅型场效应晶体管。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第三部分具有向所述半导体基板的外周侧弯曲成凸状的平面形状。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第三部分的表面上还包括隔着所述绝缘膜而设置的多晶硅场板。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述扩散层的宽度向所述半导体基板的外周侧变窄，

所述扩散层的间隔向所述半导体基板的外周侧变宽。