[实用新型]半导体装置和电子设备有效
申请号: | 201420397312.6 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN203967067U | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 菊池由尚 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 陶海萍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体装置和包括该半导体装置的电子设备。
背景技术
半导体装置被广泛应用于电子设备中。为了获得高可靠性的半导体装置,现有技术中采用树脂对半导体装置进行密封封装。
图1示出了专利文献1(JP平4-23330Y2)所记载的半导体装置的结构示意图,如图1所示,半导体元件2被载置于基板上,并且,通过树脂材料6对半导体元件2和基板进行密封,形成半导体装置。通过树脂材料6,能够对半导体装置的内部结构进行绝缘密封,防止外界的空气和水汽对半导体装置内部结构造成侵蚀。
应该注意,上面对技术背景的介绍只是为了方便对本实用新型的技术方案进行清楚、完整的说明,并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本实用新型的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
实用新型内容
但是,发明人发现:在现有的树脂密封性半导体装置中,树脂材料的用量较大,因此,树脂材料的成本在整个半导体装置的成本中占了较大比例,导致了半导体装置的成本较大。
本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备,通过降低树脂密封材料的用量,使半导体装置的成本降低。
根据本实用新型实施例的第一方面,提供一种半导体装置,该半导体装置包括:
半导体元件;
金属基板,在该金属基板的一个主面上载置有该半导体元件;以及
树脂,其对该半导体元件和该金属基板进行密封,并使该金属基板的另一个主面露出;
该树脂包括:
第一树脂部,其位于该半导体装置的长边方向的两端部;
第二树脂部,其沿着该半导体装置的长边方向被连续设置,并与位于该两端部的该第一树脂部连结;
第三树脂部,其被该第一树脂部和该第二树脂部包围,并且,在沿着垂直于该一个主面的方向上,该第三树脂部的厚度比该第一树脂部的厚度和该第二树脂部的厚度都小。
根据本实用新型实施例的第二方面,其中,该第三树脂部覆盖该半导体元件以及该金属基板的该一个主面。
根据本实用新型实施例的第三方面,其中,该第一树脂部和该第二树脂部形成为“匚”字型。
根据本实用新型实施例的第四方面,其中,该第一树脂部与该第二树脂部的厚度相等。
根据本实用新型实施例的第五方面,其中,该两端部分别设置有螺钉槽,该螺钉槽在沿着垂直于该一个主面的方向上贯穿该第一树脂部。
根据本实用新型实施例的第六方面,其中,该半导体装置还包括端子部,该端子部穿过该第二树脂部而延伸到该树脂的外部。
根据本实用新型实施例的第七方面,其中,该金属基板包括散热板,该散热板在沿着垂直于该一个主面的方向上的公称厚度为1.0mm,上偏差为+0.08mm,下偏差为-0.08mm。
根据本实用新型实施例的第八方面,提供一种电子设备,该电子设备包括如上述实施例的第一方面至第七方面中任一项所述的半导体装置。
本实用新型的有益效果在于:通过仅在两端部和靠近端子的部位形成较厚的树脂部,且以较小的厚度形成覆盖金属基板的树脂部,由此,不仅能够减少树脂材料的用量,降低半导体装置的成本,而且可以确保半导体装置的机械强度。
参照后文的说明和附图,详细公开了本实用新型的特定实施方式,指明了本实用新型的原理可以被采用的方式。应该理解,本实用新型的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内,本实用新型的实施方式包括许多改变、修改和等同。
针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用,与其它实施方式中的特征相组合,或替代其它实施方式中的特征。
应该强调,术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在,但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。
附图说明
所包括的附图用来提供对本实用新型实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本实用新型的实施方式,并与文字描述一起来阐释本实用新型的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是专利文献1的半导体装置的结构示意图;
图2是本申请实施例1的半导体装置的俯视图;
图3是本申请实施例1的半导体装置的立体图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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