[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括存储器阵列，上述存储器阵列包括：

多个与非型的串，其中每一串包含：串联连接的多个存储单元；位线选择晶体管，连接于上述串联连接的多个存储单元的其中一端部；及源极线选择晶体管，连接于上述串联连接的多个存储单元的另一端部；

多个字线，连接有多个串的行方向的多个存储单元的栅极；

第一选择栅极线，连接有多个串的行方向的多个源极线选择晶体管的栅极；以及

第二选择栅极线，连接有多个串的行方向的多个位线选择晶体管的栅极；

其中，上述多个串中的任一串中，第一间隔大于第二间隔，所述第一间隔是源极线选择晶体管的栅极和与其邻接的字线的存储单元的栅极之间的间隔，所述第二间隔是位线选择晶体管的栅极和与其邻接的字线的存储单元的栅极之间的间隔，上述第一间隔为上述第二间隔的两倍。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述第一间隔大于同一串的存储单元的任两相邻栅极间的第三间隔。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于，

上述第二间隔与上述第三间隔相等。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体存储装置，其特征在于，在编程动作时，对上述第一选择栅极线施加使多个源极线选择晶体管为非导通的电压。

5.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，所述半导体存储装置包括具有多个与非型的串的存储器阵列，所述半导体存储装置的制造方法包括：

在构成存储单元的栅极的被加工膜上形成硬质遮罩的步骤；

在上述硬质遮罩上形成多个光阻图案的步骤；

在上述多个光阻图案的侧壁上形成间隔层的步骤；

去除上述多个光阻图案的步骤；

将残存的间隔层用作遮罩来蚀刻上述硬质遮罩的步骤；以及

将上述硬质遮罩用作遮罩来蚀刻所述被加工膜，以形成存储单元的栅极的步骤，且

存储器阵列具有第一间隔大于第二间隔和第三间隔的非对称结构，上述第一间隔是源极线选择晶体管的栅极和与其邻接的存储单元的栅极之间的间隔，上述第二间隔是位线选择晶体管的栅极和与其邻接的存储单元的栅极之间的间隔，上述第三间隔是同一串的存储单元的任两相邻栅极间的间隔，

其中上述第一间隔为上述第二间隔的两倍，且上述第二间隔与上述第三间隔相等。

6.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，所述半导体存储装置包括具有与非型的串的存储器阵列，所述半导体存储装置的制造方法包括：

在构成存储单元的栅极的被加工膜上形成多个光阻图案的步骤；

在包含上述多个光阻图案的整个面上形成绝缘层的步骤；

在上述绝缘层上形成光阻层的步骤；

以上述光阻层残存于所述绝缘层两侧的侧壁的方式蚀刻上述光阻层的步骤；

去除上述绝缘层的步骤；

将上述光阻图案及残存的光阻层用作遮罩来蚀刻上述被加工膜，以形成多个栅极的步骤；以及

去除上述光阻图案及残存的光阻层的步骤，且

存储器阵列具有第一间隔大于第二间隔的非对称结构，上述第一间隔是源极线选择晶体管的栅极和与其邻接的存储单元的栅极之间的间隔，上述第二间隔是位线选择晶体管的栅极和与其邻接的存储单元的栅极之间的间隔。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，

还包括去除上述多个栅极的一部分的步骤。

8.根据权利要求6所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，上述第一间隔大于同一串的存储单元的任两相邻栅极间的第三间隔。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，上述第一间隔为上述第二间隔的两倍，且上述第二间隔与上述第三间隔相等。