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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]可变电阻式存储装置及其制造方法-CN202011420881.4有效
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2020-12-08 - 2023-10-27 - H10B63/00
  • 本发明提供一种可变电阻式存储装置及其制造方法。本发明的可变电阻式存储器，包含：多个支柱，沿着基板主表面的垂直方向延伸；多个位线，沿着水平方向延伸；以及存储单元，形成于多个支柱与多个位线的交叉处；其中，存储单元包含：栅极绝缘膜，形成于支柱的外围；半导体膜，形成于栅极绝缘膜的外围并提供沟道区域；以及可变电阻元件，形成于半导体膜的外围。可变电阻元件的外围的第一电极区域及与该第一电极区域对向的第二电极区域分别与邻接的一对位线电连接。
  • 可变电阻存储装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN202310186009.5在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2023-03-01 - 2023-09-26 - G11C16/10
  • 本发明提供一种已改善数据处理效率的半导体装置，其包括：存储单元阵列，包括两个平面；控制器，能够对两个平面的读取动作及编程动作进行控制；两个锁存器，能够保持从一平面读取的数据或应编程至一平面的数据；及两个锁存器，能够保持从另一平面读取的数据或应编程至另一平面的数据，控制器在根据从外部输入的同时命令进行一平面的编程动作时，能够进行另一平面的读取动作。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置及编程方法-CN202211182129.X在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-09-27 - 2023-08-18 - G11C16/04
  • 本发明提供一种能够进行抑制了消耗电力的编程的半导体装置及编程方法。本发明的NAND型闪速存储器的编程方法准备高速编程用区块与用于最终存储数据的回写用区块，在省电模式时响应于从外部输入的编程指令，在高速编程用区块的偶数页与奇数页分别高速编程1/2页的数据，其后，在消除了省电模式时，从高速编程用区块读出数据，将所读出的数据通常编程至回写用区块。
  • 半导体装置编程方法
  • [发明专利]半导体装置及抹除方法-CN202211114600.1在审
  • 矢野胜;竹下利章 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-09-14 - 2023-06-13 - G11C16/04
  • 本发明提供一种可减缓由ISPE引起的存储单元劣化的半导体装置及抹除方法。本发明的NAND型闪速存储器包括存储单元阵列、以及将存储单元阵列的选择区块抹除的抹除构件。抹除构件对选择区块进行第一抹除验证(EV1)及第二抹除验证(EV2)，在第一抹除验证(EV1)合格且第二抹除验证(EV2)不合格的情况下，施加与上次相同的抹除电压的抹除脉冲，在第一抹除验证(EV1)不合格的情况下，施加较上次高一个阶跃电压的抹除脉冲。
  • 半导体装置方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202211024699.6在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-08-25 - 2023-06-02 - G11C16/14
  • 本发明提供一种可使因电源电压的瞬停或变动等而中断的写入自动复位的半导体存储装置。本发明的非易失性存储器包括形成有或非型阵列及电阻变化型阵列的存储单元阵列。在向或非型阵列的写入过程中电源电压下降到断电电平的情况下，读写控制部将未写入数据写入电阻变化型阵列中。之后，在检测到电源电压的通电时，读写控制部从电阻变化型阵列读取未写入数据，并将未写入数据写入或非型阵列中，由此使中断的写入复位。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202211172779.6在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-09-26 - 2023-04-21 - G11C7/12
  • 本发明相关的半导体存储装置，包含：存储单元阵列，形成有NOR型存储单元阵列；交错式阵列，具有多个列与多个行，于各列与各行的交叉处形成可变电阻元件；入口闸道，配置于存储单元阵列与交错式阵列之间，基于选择信号，将存储单元阵列的选择位线与交错式阵列连接；以及行选择/信号处理单元。行选择/信号处理单元包含：行写入单元，将从存储单元阵列读取的数据，写入交错式阵列的选择行；行读取单元，读取交错式阵列的选择行的数据；以及NOR写入单元，至少将行读取单元读取的数据，写入存储单元阵列。通过让半导体存储装置包含存储单元阵列以及交错式阵列，就能够提高学习处理的能力或效率。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体存储装置及其写入方法-CN202210380863.0在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-04-12 - 2022-12-16 - G11C16/06
  • 本发明提供一种可实现低功率化以及高集成度的半导体存储装置及其写入方法。本发明的非易失性半导体存储器包括存储单元阵列，所述存储单元阵列在基板上形成具有NOR型快闪存储器结构的NOR型阵列与具有电阻变化型存储器结构的电阻变化型阵列。读写控制部在对电阻变化型阵列的选择存储单元进行置位写入的情况下，对选择全局位线进行充电，其后，使用充电至选择全局位线的电压对选择存储单元施加置位写入电压。
  • 半导体存储装置及其写入方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN202210320860.8在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2022-11-29 - G11C16/24
  • 本发明提供一种可实现低功率化以及高集成化的半导体存储装置。本发明的非易失性半导体存储器包含存储胞元阵列，存储胞元阵列在基板上形成着具有NOR型快闪存储器结构的NOR型阵列与具有电阻变化型存储器结构的电阻变化型阵列。在NOR型阵列与电阻变化型阵列之间形成有进入栅，进入栅在NOR型阵列受到存取时，使电阻变化型阵列从NOR型阵列分离。
  • 半导体存储装置
  • [发明专利]半导体装置及擦除方法-CN202210124034.6在审
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-02-10 - 2022-10-18 - G11C16/34
  • 本发明提供一种半导体装置及擦除方法，可控制擦除脉冲的施加次数。本发明的闪速存储器的擦除方法是先以不同的写入电平对区块内的多个牺牲存储单元进行编程，在响应于擦除命令而对选择区块进行擦除时，将监视用擦除脉冲(R1)施加至阱，然后，对多个牺牲存储单元进行检验(S_EV)，当检验不合格时，增加监视用擦除脉冲的电压之后施加监视用擦除脉冲(R2)，直至多个牺牲存储单元的检验合格为止，当检验合格时，基于监视用擦除脉冲(R2)的电压，将通常的擦除脉冲(Q1)施加至阱(Well)来对选择区块进行擦除。
  • 半导体装置擦除方法
  • [发明专利]存储电路与半导体装置-CN201910373935.7有效
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2019-05-07 - 2022-10-04 - G11C11/413
  • 本发明提供一种存储电路与半导体装置，存储电路具有在瞬间停电时恢复数据的功能。存储电路(100)包括双稳态电路，能够在节点(N1)及节点(N2)中保持具有互补关系的数据；第1非易失性存储电路(NV1)，连接于节点(N1)；以及第2非易失性存储电路(NV2)，连接于节点(N2)，第1非易失性存储电路(NV1)对引导数据进行存储，第2非易失性存储电路(NV2)在存储有保持在节点(N2)的数据时，使节点(N2)中所保持的数据的逻辑电平反转。
  • 存储电路半导体装置
  • [发明专利]阵列装置及其写入方法-CN202110770511.1在审
  • 冨田泰弘;矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-07-07 - 2022-02-18 - G11C13/00
  • 本发明提供一种阵列装置及其写入方法，通过脉冲宽度控制可更准确地控制设置写入时的电阻值的变化。本发明的突触阵列装置包括：交叉式阵列，在多个行线与多个列线各自的交叉部连接有可变电阻式存储元件；行选择/驱动电路，选择交叉式阵列的行线并对所选择的行线施加脉冲信号；列选择/驱动电路，选择交叉式阵列的列线并对所选择的列线施加脉冲信号；以及写入构件，对连接于所选择的行线及所选择的列线的可变电阻式存储元件进行写入。对所选择的行线施加脉冲宽度经控制的第一写入电压，并对所选择的列线施加脉冲宽度经控制的第二写入电压，来进行可变电阻式存储元件的设置写入。
  • 阵列装置及其写入方法
  • [发明专利]或非型快闪存储器-CN201810685566.0有效
  • 矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2018-06-28 - 2022-02-15 - H01L27/11524
  • 本发明提供一种或非型快闪存储器，其包含降低了消耗电力的三维结构的存储单元。本发明的快闪存储器包括多个柱状部，从硅基板的表面朝垂直方向延伸且包含主动区域；电荷蓄积部，以围绕各柱状部的侧部的方式形成；控制栅极，以围绕行方向的电荷蓄积部(130A)的侧部的方式形成；以及选择栅极，以围绕行方向的电荷蓄积部(130B)的侧部的方式形成。柱状部的其中一个端部经由接触孔而电连接至位线，柱状部的另一个端部电连接于形成在硅基板表面的导电区域。
  • 非型快闪存
  • [发明专利]纵横式数组装置及其写入方法-CN202110681328.4在审
  • 冨田泰弘;矢野胜 - 华邦电子股份有限公司
  • 2021-06-18 - 2022-01-11 - G11C13/00
  • 本发明提供一种抑制由潜泄电流导致的写入精度的劣化的纵横式数组装置及其写入方法。本发明的突触数组装置具有电阻变化型存储元件连接而成的纵横式数组、列选择/驱动电路、行选择/驱动电路、以及对所选择的电阻变化型存储元件进行写入的写入单元。写入单元于施加写入电压之前，测定对所选择的列线施加写入电压时产生的潜泄电流，然后，施加具有所测定的潜泄电流与为了进行写入动作而生成的电流的总和的写入电压，藉此向所选择的电阻变化型存储元件进行写入。
  • 纵横数组装置及其写入方法
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