[发明专利]一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构

权利要求书

1.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，包括反向耐压大于或者等于设计所需反向额定电压的GaN基肖特基二极管，反向额定电压等于设计要求反向额定电压的垂直结构的Si基二极管，所述GaN基肖特基二极管衬底焊接到封装材料的绝缘基板上，

所述Si基二极管的阴极直接焊接到GaN基二极管的阴极上，所述Si基二极管的阳极通过金属引线与GaN基肖特基二极管的阳极相连，通过引线引出整个模块的阳极与阴极。

2.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，其特征在于其中所述GaN基肖特基二极管可以是GaN体材料肖特基二极管也可以是AlGaN /GaN HEMTs肖特基二极管。

3.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，其特征在于其中所述的Si基二极管可以是肖特基结构、PiN结构等各种垂直结构的Si基二极管器件。

4.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，其特征在于其中，当单个Si基二极管的反向额定电压不能达到设计要求的反向额定电压时，所述的Si基二极管也可以是两个或者两个以上Si基二极管相互串联形成的模块，其总额定电压等于设计要求的反向额定电压。

5.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，其特征在于，当单个GaN基肖特基二极管的正向额定电流不能达到设计要求的器件正向额定电流的要求，所述的GaN基二极管也可以将两个或者两个以上的GaN基肖特基二极管器件相互并联形成的并联模块；

其封装方法是将焊接在封装绝缘基板上的多个GaN基肖特基二极管器件，拖过金属引线并联，形成并联模块；将与GaN基肖特基二极管反向额定电压相同的Si基二极管或者垂直串联焊接形成的Si基二极管模块焊接到其中一个GaN基二极管的阴极上，通过金属引线将GaN基肖特基二极管的阳极与Si基二极管或者Si基二极管模块的阳极相连。

6.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，其特征在于，当单个GaN基肖特基二极管的反向额定电压不能达到设计要求的器件反向额定电压时，所述的GaN基二极管也可以将两个或者两个以上的GaN基肖特基二极管器件相互串联形成的串联模块；

其封装方法是将焊接在封装绝缘基板上的多个GaN基肖特基二极管器件，拖过金属引线串联，形成串联模块；将与GaN基肖特基二极管反向额定电压相同的Si基二极管或者垂直串联焊接形成的Si基二极管模块焊接到GaN基二极管串联模块的阴极位置上，通过金属引线将GaN基肖特基二极管的阳极与Si基二极管或者Si基二极管模块的阳极相连。

7.一种带雪崩击穿特性的GaN基肖特基二极管的封装结构，其特征在于其中所采用的封装结构可以为TO220、DBC模块等各种封装形式。