[发明专利]分裂栅非易失性存储器单元

权利要求书

1.一种使用具有第一导电类型的本底掺杂的衬底制造半导体结构的方法，包括：

形成包括在所述衬底上的栅电介质以及在所述栅电介质上的选择栅极层的栅极结构，其中所述栅极层具有第一末端；

利用所述第一末端作为掩模，将第二导电类型的掺杂剂以非垂直角度注入与所述第一末端相邻的所述衬底的第一部分，其中所述注入在将任何掺杂剂注入所述本底掺杂的所述第一部分之前，并且其中所述第一部分成为所述第二导电类型的第一掺杂区域；

形成非易失性存储器栅极结构，其包括所述选择栅极层的选择栅极、具有在所述第一掺杂区域之上的第一部分的存储层、以及在所述存储层之上的控制栅极，其中所述选择栅极具有作为所述第一末端的第一侧面和与所述第一侧面相对的第二侧面，其中所述存储层具有在所述选择栅极的第一侧面和所述控制栅极的第一侧面之间的第二部分；

用第一导电类型的掺杂剂以非垂直角度进行注入以在至少部分的所述选择栅极下形成深掺杂区域；以及

用第二导电类型的掺杂剂进行注入以在所述衬底中与所述选择栅极的所述第二侧面对准地形成源极/漏极延伸部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述控制栅极具有与所述控制栅极的所述第一侧面相对的第二侧面，所述方法还包括：

沿着所述选择栅极的所述第二侧面以及所述控制栅极的所述第二侧面形成侧壁间隔物；以及

利用所述侧壁间隔物作为掩模，以第二导电类型的掺杂剂进行注入以在所述衬底中与所述选择栅极的所述第二侧面对准地形成第一深源极/漏极区域以及在所述衬底中与所述控制栅极的所述第二侧面对准地形成第二深源极/漏极区域。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述第一深源极/漏极区域上形成硅化物层以及在所述第二深源极/漏极区域上形成硅化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储层包括纳米晶体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅极结构还包括在所述选择栅极层上的电介质层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述用第一导电类型的掺杂剂以非垂直角度进行注入其特征还在于，使用所述控制栅极作为掩模。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述用第一导电类型的掺杂剂以非垂直角度进行注入其特征还在于，使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在对所述第一部分进行注入期间注入的所述第二导电类型的掺杂剂是除了在全部衬底中的所述本底掺杂的掺杂剂之外的仅有的掺杂剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述用第一导电类型的掺杂剂以非垂直角度进行注入其特征还在于，注入包括由二氟化硼和硼构成的组中之一的掺杂剂。

10.根据权利要求1所述的方法，其中通过蚀刻所述选择栅极层形成所述选择栅极，以形成具有所述第二侧面的所述选择栅极。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述选择栅极层具有所述第二侧面，并且其中所述对所述衬底的所述第一部分进行注入其特征还在于，对与所述选择栅极层的所述第二侧面相邻的所述衬底的第二部分进行注入。

12.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述非易失性存储器栅极结构其特征还在于：所述存储层在所述选择栅极的一部分之上延伸，并且所述控制栅极在所述存储层位于所述选择栅极的所述部分之上延伸的位置处而在所述存储层之上延伸。