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[发明专利]分裂栅非易失性存储器单元-CN201410311292.0有效
发明人： B·A·温斯蒂亚德;洪全敏;姜盛泽;K·V·洛伊寇;J·A·耶特 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及分裂栅非易失性存储器单元。一种制造半导体结构(100)的方法使用具有第一类型的本底掺杂的衬底(102)。栅极结构具有位于衬底上的栅电介质(104)和位于栅电介质上的选择栅极层(106)。将第二类型的掺杂剂注入到衬底的相邻于第一末端的第一部分。注入在将任何掺杂剂注入第一部分的本底掺杂之前，其中第一部分变为第二导电类型的第一掺杂区域。NVM栅极结构具有选择栅极(106)、具有位于第一掺杂区域上的第一部分的存储层以及位于存储层上的控制栅极(208)。以非垂直角度注入(304)第一类型的掺杂剂在选择栅极下面形成了深掺杂区域(306)。注入第二类型的掺杂剂形成源极/漏极延伸(404)。
分裂非易失性存储器单元

[发明专利]具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法-CN201310031117.1有效
发明人：姜盛泽;G·L·辛达洛里;B·A·温斯蒂亚德;J·A·耶特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明涉及具有不同密度的纳米晶体的不同非易失性存储器的半导体器件及方法。一种用于形成半导体器件（102、104、106）的方法包括在具有第一区域（104）和第二区域（102）的衬底（52）的表面之上形成第一多个纳米晶体（53），其中所述第一多个纳米晶体在所述第一区域和所述第二区域中形成并且具有第一密度；以及在形成所述第一多个纳米晶体之后，在所述第二区域中而不在所述第一区域中的所述衬底的所述表面之上形成第二多个纳米晶体（63），其中在所述第二区域中所述第一多个纳米晶体连同所述第二多个纳米晶体导致了第二密度，其中所述第二密度大于所述第一密度。
具有不同密度纳米晶体非易失性存储器半导体器件方法

[发明专利]用于形成具有纳米晶体的半导体器件的方法-CN201210106456.7有效
发明人：姜盛泽;J·A·耶特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成具有纳米晶体的半导体器件(10)的方法。该方法包括：提供基板(12)；在基板的表面之上形成第一绝缘层(14)；在第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体(26)；在第一多个纳米晶体之上形成第二绝缘层(28)；将第一材料注入第二绝缘层之内；以及使第一材料退火以在第二绝缘层内形成第二多个纳米晶体(34)。该方法可以用来提供具有较大纳米晶体密度的非易失性存储器的电荷存储层。
用于形成具有纳米晶体半导体器件方法