[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410305307.2 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN104795370A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 三宅英太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，具备：
半导体芯片，包括第一端子面以及位于该第一端子面的相反侧的第二端子面；
绝缘部，包围上述半导体芯片的侧面的外周；以及
金属部，配置于上述半导体芯片的侧面与上述绝缘部的内侧面之间。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具备绝缘缓冲部，该绝缘缓冲部设置于上述金属部与上述绝缘部之间以及上述金属部与上述半导体芯片之间，并覆盖上述金属部。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备：
第一电极部，与上述半导体芯片的上述第一端子面连接；以及
第二电极部，与上述半导体芯片的上述第二端子面连接，
上述金属部与上述第二电极部电连接。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述第二电极部被设定为接地电位。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属部包围上述半导体芯片的周围。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
上述金属部以及上述绝缘缓冲部包围上述半导体芯片的周围。
7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备绝缘保护部，该绝缘保护部设置于上述半导体芯片的外缘，将上述半导体芯片的上述第一端子面与上述第二端子面之间进行绝缘，
上述金属部包围上述半导体芯片以及上述绝缘保护部。
8.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
还具备绝缘保护部，该绝缘保护部设置于上述半导体芯片的外缘，将上述半导体芯片的上述第一端子面与上述第二端子面之间进行绝缘，
上述金属部以及上述绝缘缓冲部包围上述半导体芯片以及上述绝缘保护部。
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