[发明专利]芯片装置以及用于形成芯片装置的方法有效
申请号: | 201410198698.2 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN104157623B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | P·奥斯米茨;R·鲍尔;T·雅各布斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/482 | 分类号: | H01L23/482;H01L23/49;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 装置 以及 用于 形成 方法 | ||
1.一种芯片装置,包括:
芯片,包括多个电网,其中每个电网包括至少一个键合焊盘;以及
多个柱,形成在所述多个电网中的大多数电网的所述至少一个键合焊盘上,
其中,所述多个柱被配置用于将所述多个电网中的所述大多数电网的所述至少一个键合焊盘连接至芯片外部的连接区域,
其中,所述至少一个键合焊盘的厚度与所述多个柱中的至少一个柱的最宽横向范围的宽度的比大于或等于0.2,并且
其中,所述多个柱中的至少一个柱的高度与所述至少一个柱的最宽横向范围的宽度的比大于或等于2。
2.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述多个电网包括输入网或输出网以及电源网。
3.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述芯片包括具有多个引脚的高引脚数目芯片,其中所述多个引脚包括多个数字信号引脚或多个模拟信号引脚,并且其中所述高引脚数目芯片包括至少一个电源网。
4.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述多个柱中的至少一个柱的最宽横向范围的宽度在从5μm至25μm的范围内。
5.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述多个柱中的至少一个柱的高度大于或等于10μm。
6.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述至少一个键合焊盘的厚度在从3μm至8μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述多个柱中的至少一个柱包括相互层叠布置的多个片段,并且其中所述多个片段中的每个片段具有不同宽度。
8.根据权利要求7所述的芯片装置,其中,所述至少一个柱中的具有较小宽度的片段被布置为比所述至少一个柱中的具有较大宽度的另一片段更加远离所述芯片。
9.根据权利要求7所述的芯片装置,其中,所述至少一个柱进一步包括形成在所述至少一个柱的至少一对相邻片段之间的片段衬垫。
10.根据权利要求1所述的芯片装置,其中,所述芯片包括:
多个键合焊盘,其中所述多个柱形成在所述多个键合焊盘上,以及其中所述芯片外部的连接区域是另一芯片。
11.根据权利要求10所述的芯片装置,其中,所述多个键合焊盘包括第一组键合焊盘以及第二组键合焊盘,其中所述第一组键合焊盘包括被配置用于承载一个输入/输出信号的至少一个键合焊盘,并且其中所述第二组键合焊盘包括被配置用于承载另一输入/输出信号的至少一个键合焊盘。
12.根据权利要求11所述的芯片装置,其中,所述第一组中的键合焊盘与所述第二组中的键合焊盘之间的焊盘节距大于或等于40μm。
13.根据权利要求11所述的芯片装置,其中,所述第一组键合焊盘进一步包括多个键合焊盘。
14.根据权利要求13所述的芯片装置,其中,所述第一组中的一个键合焊盘与所述第一组中的另一键合焊盘之间的焊盘节距小于或等于50μm。
15.根据权利要求1所述的芯片装置,进一步包括:
芯片外部的连接区域,包括形成在所述芯片外部的连接区域的背离所述芯片的表面上的至少一个迹线;以及
多个导电互连,形成在所述至少一个迹线上。
16.根据权利要求15所述的芯片装置,其中,所述多个导电互连包括选自互连的组的至少一个互连,所述组由以下项构成:焊料球、柱、凸块、接线键合以及导电胶沉积物。
17.根据权利要求15所述的芯片装置,其中,所述多个导电互连中的至少一个导电互连的高度与所述至少一个导电互连的最宽横向范围的宽度的比大于或等于2。
18.根据权利要求15所述的芯片装置,其中,所述至少一个迹线的厚度与所述多个导电互连中的至少一个导电互连的最宽横向范围的宽度的比大于或等于0.2。
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