[发明专利]用于半导体制造的内部等离子体格栅

权利要求书

1.一种用于在衬底上蚀刻特征的装置，所述装置包括：

室，其限定能提供等离子体的内部；

衬底支架，其用于在蚀刻过程中支撑在所述室中的衬底；

等离子体发生器，其用于在所述室内产生等离子体；以及

格栅，其将所述等离子体室的所述内部分成靠近所述等离子体发生器的上部子室和靠近所述衬底支架的下部子室，

其中所述上部子室的高度是所述下部子室的高度的至少1/6，

其中，所述格栅包括多个槽，该多个槽径向向外延伸，该多个槽在所述等离子体在所述室中产生时防止在所述格栅中形成感应电流，

其中，所述格栅中的所述多个槽具有在介于0.3-5之间的高宽比；

其中，所述格栅运行以在所述下部子室保持至多为在所述上部子室中的上部电子密度的1/11的下部电子密度。

2.根据权利要求1所述的装置，其还包括控制器，该控制器被设计或配置为在使得在所述上部子室产生上部区域等离子体和在所述下部子室中产生下部区域等离子体的条件下在所述室中产生所述等离子体，

其中，所述下部区域等离子体中的有效电子温度为1eV或更低，并且低于所述上部区域等离子体中的有效电子温度，以及

其中，所述下部区域等离子体中的电子密度为5×10⁹厘米^-3或更低。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器被进一步设计或配置成施加偏置到所述格栅。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器被进一步设计或配置成施加偏置到所述衬底支架。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器被进一步设计或配置为将蚀刻剂气体输送到所述室。

6.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器被进一步设计或配置为在所述等离子体蚀刻所述衬底的同时在所述室中提供小于2000毫乇的压强。

7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器被进一步设计或配置为在所述下部子室中产生离子-离子等离子体。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述格栅具有介于1和50毫米之间的平均厚度。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述格栅中的所述多个槽具有在介于0.5-2之间的高宽比。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个槽其方位角相邻槽分隔不超过60度。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子发生器包括设置在所述室的天花板上方的线圈。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述衬底支架是静电卡盘。

13.根据权利要求1所述的装置，其还包括真空连接件。

14.一种用于处理半导体衬底的系统，其包括

真空传输模块；

在所述真空传输模块中的智能机械；

接口到所述真空传输模块中的面的多个处理模块；以及

具有处理器的控制器；

其中，多个站中的至少一个包括：

室，其限定能提供等离子体的内部；

衬底支架，其用于在蚀刻过程中支撑在所述室中的所述衬底；

等离子体发生器，其用于在所述室内产生等离子体；以及

格栅，其将所述等离子体室的所述内部分成靠近所述等离子体发生器的上部子室和靠近所述衬底支架的下部子室；

其中，所述上部子室的高度是所述下部子室的高度的至少1/6；以及

其中，所述格栅包括径向向外地延伸的多个槽，该多个槽在所述等离子体在所述室中产生时防止在所述格栅中形成感应电流，

其中，所述格栅中的所述多个槽具有在介于0.3-5之间的高宽比；

其中，所述格栅运行以在所述下部子室保持至多为在所述上部子室 中的上部电子密度的1/11的下部电子密度。