[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用：本申请享受以日本专利申请2013－188369号（申请日：2013年9月11日）为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含该基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

具有高的绝缘破坏强度的GaN系半导体被期待着应用到功率电子用半导体装置或高频功率半导体装置等中。并且，为了实现更高的耐压或者更高的集成度，提出了具备沟槽构造的纵型器件。

另一方面，在p型的GaN系半导体中，提高活性化率是很困难的。因此，存在p型的GaN系半导体上的电极与半导体之间的接触电阻变高的问题。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够减少向p型的GaN系半导体的接触电阻的半导体装置及其制造方法。

实施方式的半导体装置具备：n型的第一GaN系半导体层；p型的第二GaN系半导体层，设置在第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和与第一GaN系半导体层相反一侧的高杂质浓度区域；n型的第三GaN系半导体层，设置在第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于比第三GaN系半导体层或者第三GaN系半导体层靠上的位置，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域、第一GaN系半导体层相邻地设置；第一电极，设置在第三GaN系半导体层上；第二电极，设置在高杂质浓度区域上；以及第三电极，设置在第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反的一侧。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的模式截面图。

图2是表示第一实施方式的变形例的半导体装置的模式截面图。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图4是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图5是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图6是表示第一实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图7是表示第二实施方式的半导体装置的模式截面图。

图8是表示第三实施方式的半导体装置的模式截面图。

图9是表示第三实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图10是表示第三实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图11是表示第五实施方式的半导体装置的模式截面图。

图12是表示第五实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图13是表示第六实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

图14是表示第六实施方式的半导体装置的制造方法的模式截面图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，对相同的构件等赋予相同的附图标记，对于已经说明过的构件等适当地省略其说明。

本说明书中，所谓“GaN系半导体”是指具备GaN（氮化镓）、AlN（氮化铝）、InN（氮化铟）及它们的中间组成的半导体的通称。此外，本说明书中，所谓AlGaN是指由Al_xGa_1－xN（0＜x＜1）的组成式来表示的半导体。

此外，在以下的说明中，n^＋、n、n^－及p^＋、p、p^－的表达方式表示各导电型中的杂质浓度的相对高低。即表示n^＋与n相比n型的杂质浓度相对地高，n^－与n相比n型的杂质浓度相对地低。此外，表示p^＋与p相比p型的杂质浓度相对地高，p^－与p相比p型的杂质浓度相对地低。另外，有时也将n^＋型、n^－型仅记作n型，将p^＋型、p^－型仅记作p型。

（第一实施方式）