[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410051942.2 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104425570A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 吉冈启;杉山亨;齐藤泰伸;津田邦男 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅;杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
n型的第一GaN系半导体层；
p型的第二GaN系半导体层，设置在所述第一GaN系半导体层上，具有所述第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和与所述第一GaN系半导体层相反一侧的高杂质浓度区域；
n型的第三GaN系半导体层，设置在所述第二GaN系半导体层的与所述第一GaN系半导体层相反的一侧；
栅电极，一端位于所述第三GaN系半导体层或者比所述第三GaN系半导体层靠上方，另一端位于所述第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与所述第三GaN系半导体层、所述低杂质浓度区域、所述第一GaN系半导体层相邻地设置；
第一电极，设置在所述第三GaN系半导体层上；
第二电极，设置在所述高杂质浓度区域上；以及
第三电极，设置在所述第一GaN系半导体层的与所述第二GaN系半导体层相反的一侧。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二GaN系半导体层为外延生长层。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层中含有p型杂质。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层中包含AlGaN层。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层为所述第二GaN系半导体层侧的GaN层与所述GaN层上的所述AlGaN层的层叠构造。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极为相同材料。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极为不同材料。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层为外延生长层。
9.一种半导体装置，其特征在于，具备：
n型的第一GaN系半导体层；
p型的第二GaN系半导体层，设置在所述第一GaN系半导体层上，具有所述第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和与所述第一GaN系半导体层相反一侧的高杂质浓度区域；
n型的第三GaN系半导体层，设置在所述第二GaN系半导体层的与所述第一GaN系半导体层相反的一侧；
沟槽，一端位于所述第三GaN系半导体层，另一端位于所述第一GaN系半导体层；
栅极绝缘膜，设置在所述沟槽的内壁的、所述第三GaN系半导体层、所述低杂质浓度区域及所述第一GaN系半导体层上；
栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上；
第一电极，设置在所述第三GaN系半导体层上；
第二电极，设置在所述高杂质浓度区域上；以及
第三电极，设置在所述第一GaN系半导体层的与所述第二GaN系半导体层相反的一侧。
10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述第二GaN系半导体层为外延生长层。
11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层中含有p型杂质。
12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层中包含AlGaN层。
13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，
所述第三GaN系半导体层为所述第二GaN系半导体层侧的GaN层与所述GaN层上的所述AlGaN层的层叠构造。
14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极为相同材料。
15.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极为不同材料。
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