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[发明专利]半导体装置-CN201410072220.5在审
发明人：大野哲也;津田邦男 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据被发明的一个实施方式，半导体装置具备：半导体基板、隔着第一膜形成于上述半导体基板上的第一导电型或者本征型的第一以及第二半导体层、形成于上述第二半导体层上的第一主电极以及形成于上述第二半导体层的与上述第一主电极侧或者上述第一主电极相反的一侧的第二主电极。上述装置还具备与上述第一主电极电连接的第一焊盘层，以及与上述第二主电极电连接的第二焊盘层，该第二焊盘层具有与上述第二主电极相接的第一上部、高度设置成上述半导体基板的上部与下部之间的高度的第二上部以及与上述半导体基板的下部对置的第三上部。上述装置还具备形成于上述第二焊盘层的上述第二上部与上述第一膜的下部之间的上述第二导电型的第三半导体层。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410051942.2在审
发明人：吉冈启;杉山亨;齐藤泰伸;津田邦男 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-02-14 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：本发明为半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：n型第一GaN系半导体层；p型第二GaN系半导体层，位于第一GaN系半导体层上，具有第一GaN系半导体层侧的低杂质浓度区域和第一GaN系半导体层相反侧的高杂质浓度区域；n型第三GaN系半导体层，位于第二GaN系半导体层的与第一GaN系半导体层相反的一侧；栅电极，一端位于第三GaN系半导体层或第三GaN系半导体层上方，另一端位于第一GaN系半导体层，经由栅极绝缘膜与第三GaN系半导体层、低杂质浓度区域及第一GaN系半导体层相邻；第三GaN系半导体层上的第一电极；高杂质浓度区域上的第二电极；第一GaN系半导体层的与第二GaN系半导体层相反侧的第三电极。
半导体装置及其制造方法