[发明专利]化合物半导体薄膜的制作方法及具备该化合物半导体薄膜的太阳能电池

权利要求书

1.一种化合物半导体薄膜的制作方法，其具备下述工序：

将含有50质量％以上的为无定形状的化合物纳米粒子的化合物半导体薄膜制作用油墨进行涂布或印刷、形成化合物半导体涂膜的工序；

对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的工序；以及

对所述化合物半导体涂膜进行热处理、形成化合物半导体薄膜的工序。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的工序中的压力为0.1MPa以上且25MPa以下，施加所述压力的工序中的温度为25℃以上且550℃以下，对所述化合物半导体涂膜进行热处理的工序中的热处理温度为200℃以上且550℃以下。

3.一种化合物半导体薄膜的制作方法，其具备下述工序：

将含有50质量％以上的为无定形状的化合物纳米粒子的化合物半导体薄膜制作用油墨进行涂布或印刷、形成化合物半导体涂膜的工序；以及

在对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的同时进行热处理、形成化合物半导体薄膜的工序。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，在对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力的同时进行热处理的工序中的压力为0.1MPa以上且25MPa以下，加热温度为200℃以上且550℃以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，通过对所述化合物半导体涂膜机械地施加压力，使所述化合物半导体薄膜的表面粗糙度Ra为100nm以下。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，所述化合物纳米粒子含有选自IB族元素、IIIB族元素及VIB族元素中的至少2种以上族的元素。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，所述化合物纳米粒子由选自CuIn_xGa_1-xSe₂(0≤x≤1)、AgIn_xGa_1-xSe₂(0≤x≤1)、CuIn_xGa_1-x(Se_yS_1-y)₂(0≤x≤1、0≤y≤1)及CuAl(Se_xS_1-x)₂(0≤x≤1)所示的化合物组中的至少1种构成。

8.根据权利要求6所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，所述化合物纳米粒子由选自Cu_2-xSe_1-yS_y(0≤x≤1、0≤y≤1)、(In_xGa_1-x)₂(Se_1-yS_y)₃(0≤x≤1、0≤y≤1)及In_xGa_1-xSe_1-yS_y(0≤x≤1、0≤y≤1)所示的化合物组中的至少1种构成。。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，所述化合物纳米粒子含有选自IB族元素、IIB族元素、IVB族元素及VIB族元素中的至少2种以上族的元素。

10.根据权利要求9所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，所述化合物纳米粒子由Cu_2-xZn_1+ySnS_zSe_4-z(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤4)所示的化合物构成。

11.根据权利要求9所述的化合物半导体薄膜的制作方法，其中，所述化合物纳米粒子由选自Cu_2-xS_ySe_2-y(0≤x≤1、0≤y≤2)、Zn_2-xS_ySe_2-y(0≤x≤1、0≤y≤2)及Sn_2-xS_ySe_2-y(0≤x≤1、0≤y≤2)所示的化合物组中的至少1种构成。